Substrato ceramica

nitruro di alluminioin strato sottilea film spesso

Panoramica
Nell'era dell'aumento esplosivo della potenza di calcolo legata all'IA, degli aggiornamenti alle comunicazioni 5G e della transizione dei veicoli elettrici verso piattaforme ad alta tensione da 800V, la dissipazione del calore e l'affidabilità del packaging sono diventati colli di bottiglia che limitano le prestazioni di sistema. I substrati ceramici in nitruro di alluminio, grazie all'eccellente conducibilità termica, alle proprietà isolanti e a un coefficiente di dilatazione termica (CTE) altamente compatibile con i materiali semiconduttori, sono impiegati in moduli ottici ad alta velocità, dispositivi RF e semiconduttori di potenza.

Punti chiave del prodotto
INNOVACERA fornisce substrati AlN rettificati di precisione con estrema planarità superficiale, supportando vari processi di metallizzazione come DPC (Direct Plated Copper) e AMB (Active Metal Brazing) per garantire un funzionamento stabile in ambienti gravosi.

Vantaggi
Caratteristica — Valore tecnico
Conducibilità termica ultra‑elevata — Conducibilità termica di 170–230 W/m·K, 7–10 volte quella delle ceramiche a base di allumina tradizionali, risolvendo le sfide di dissipazione del calore alla fonte.
CTE compatibile — CTE circa 4,5 ppm/°C, altamente compatibile con Silicio (Si) e Nitruro di Gallio (GaN), riducendo significativamente lo stress termico e migliorando la durata del packaging.
Isolamento elettrico superiore — Elevata resistività volumetrica e rigidità dielettrica, garantendo sicurezza elettrica e integrità del segnale in ambienti ad alta tensione e alta frequenza.
Tecnologia superficiale di punta — Rugosità tipica Ra ≤ 0,5 μm che assicura alta precisione e resa per il montaggio dei chip, supportando interconnessioni circuitali complesse.

Specifiche del prodotto e selezione
Offriamo tre specifiche standard con spessore di 1,0 mm; è disponibile la personalizzazione.
Modello | Dimensioni (L×W) | Applicazioni raccomandate | Consigli di selezione
Modello A | 37 × 26 mm | Moduli IGBT, OBC automotive, moduli ottici di grandi dimensioni | Fornisce una maggiore area di raffreddamento effettiva, adatto per packaging ad alta potenza e complessi.
Modello B | 35 × 22 mm | Moduli ottici 800G/1.6T, amplificatori di potenza RF (PA) | Specifica di mercato mainstream, bilanciamento tra prestazioni e costo con catena di fornitura matura.
Modello C | 25 × 20 mm | LED automotive, illuminazione industriale, sotto‑moduli di piccola scala | Elevata convenienza economica, ideale per scenari con vincoli di spazio o sensibili ai costi.

Applicazioni

• Moduli ottici ad alta velocità (800G / 1.6T) — Affronta densità di flusso termico estreme fino a 15–20 W/cm² nei moduli 1.6T; l'uso di substrati AlN per modulo è aumentato con la domanda guidata dall'IA.
• Comunicazioni RF e microonde (5G / Satellite) — Bassa perdita dielettrica (tanδ < 0.001) progettata per la trasmissione di segnali ad alta frequenza; fornisce raffreddamento e supporto per transistor di potenza GaN; usato in 5G NR, mmWave e banda Ka satellitare.
• Veicoli a nuova energia (elettronica di potenza / IGBT) — Adatto per piattaforme 800V, fornendo isolamento e raffreddamento ad alta affidabilità per moduli SiC MOSFET e IGBT; soddisfa requisiti di cicli termici, shock termico e vibrazioni.
• LED ad alta potenza (fari automobilistici / polimerizzazione industriale) — Ideale per moduli COB o multi‑chip integrati, esporta efficacemente il calore per garantire elevata efficienza luminosa e lunga durata; utilizzato in fari LED intelligenti, polimerizzazione UV industriale e illuminazione commerciale di fascia alta.

Metallizzazione e processi
Supporta molteplici processi di metallizzazione tra cui DPC (Direct Plated Copper) per circuiti fini, AMB (Active Metal Brazing) per moduli di potenza ad alta affidabilità, e metallizzazioni a film spesso o sottile per packaging elettronici personalizzati.

Perché scegliere questi substrati AlN
L'elevata conducibilità termica, la compatibilità CTE con i semiconduttori comuni, l'isolamento elettrico superiore e la planarità superficiale avanzata si combinano per migliorare la gestione termica, l'integrità del segnale e l'affidabilità a lungo termine nei package elettronici e fotonici ad alte prestazioni.

Specifiche tecniche

• Materiale: substrato ceramico in nitruro di alluminio (AlN)
• Conducibilità termica: 170–230 W/m·K
• Coefficiente di dilatazione termica (CTE): circa 4,5 ppm/°C
• Perdita dielettrica (tipica): tanδ < 0.001 (ottimizzato per uso ad alta frequenza)
• Rugosità superficiale: Ra tipico ≤ 0,5 μm
• Spessore standard: 1,0 mm (personalizzazione disponibile)
• Modelli e dimensioni standard: Modello A (37 × 26 mm), Modello B (35 × 22 mm), Modello C (25 × 20 mm)
• Applicazioni raccomandate: moduli ottici ad alta velocità (800G / 1.6T), potenza RF/microonde e PA, elettronica di potenza (IGBT/SiC MOSFET), LED ad alta potenza
• Opzioni di metallizzazione: DPC, AMB, metallizzazione a film spesso, metallizzazione a film sottile
• Principali vantaggi: conducibilità termica estrema rispetto all'allumina, alta resistività volumetrica e rigidità dielettrica, CTE compatibile con Si/GaN, alta precisione superficiale per il montaggio dei chip