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Transistori a valanga AMOT

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transistor MOSFET

transistor MOSFETIPD900P06NM

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V

... Panoramica

  • IPD900P06NM è un MOSFET di potenza canale P progettato per applicazioni di commutazione e gestione dell'alimentazione.
  • Tecnologia: OptiMOS™
  • Polarità: P (canale P)
  • Package tipico: DPAK (TO-252)


Parametri ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETISP75DP06LM

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
ISP75DP06LM

Tensione: -60 V

... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti di alta qualità. ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET

transistor MOSFETIPD25DP06NM

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
IPD25DP06NM

Corrente: -6,5 A
Tensione: -60 V

... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello normale e logico, ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETBSP171I

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
BSP171I

Corrente: -3,2 A
Tensione: -60 V

... resistenza alle valanghe rendono i MOSFET di potenza OptiMOS™ di Infineon adatti ad applicazioni che richiedono un’elevata qualità. Caratteristiche Bassa resistenza allo stato conduttivo Testati al 100% contro le scariche a valanga ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETISP12DP06NM

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
ISP12DP06NM

... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti di alta qualità. ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETIPB110P06LM

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
IPB110P06LM

Corrente: -100 A
Tensione: -60 V

... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello normale e logico, ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETBSS84I

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
BSS84I

Corrente: -0,29 A
Tensione: -60 V

... commutazione rapida e alla resistenza alle valanghe, i MOSFET di potenza OptiMOS™ di Infineon sono adatti ad applicazioni che richiedono un’elevata qualità. Caratteristiche Testati al 100% contro le valanghe Placcatura ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETBSS83I

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
BSS83I

Corrente: -0,55 A
Tensione: -60 V

... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti di alta qualità. ...

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transistor MOSFETBSP170I

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
BSP170I

Corrente: -3,2 A
Tensione: -60 V

... alla resistenza alle valanghe, i MOSFET di potenza OptiMOS™ di Infineon sono adatti ad applicazioni che richiedono un’elevata qualità. Caratteristiche Bassa resistenza allo stato conduttivo Testati al 100% contro l’effetto valanga ...

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transistor MOSFETIPD650P06NM

di potenza di commutazione a valanga
transistor MOSFET
IPD650P06NM

Corrente: -22 A
Tensione: -60 V

... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello normale e logico, ...

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