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Modulo MOSFET ad effetto di campo CMLM0575
di potenzadiodi Schottky

Modulo MOSFET ad effetto di campo - CMLM0575 - Central Semiconductor - di potenza / diodi Schottky
Modulo MOSFET ad effetto di campo - CMLM0575 - Central Semiconductor - di potenza / diodi Schottky
Modulo MOSFET ad effetto di campo - CMLM0575 - Central Semiconductor - di potenza / diodi Schottky - immagine - 2
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Caratteristiche

Tipo
ad effetto di campo
Tecnologia
di potenza
Altre caratteristiche
diodi Schottky
Corrente

650 mA

Tensione

40 V

Descrizione

DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE CMLM0575 è un Multi Discrete Module™ composto da un singolo MOSFET a canale N in modalità potenziata e da un diodo Schottky a basso VF confezionato in una custodia salvaspazio SOT-563 a montaggio superficiale. Questo dispositivo è progettato per applicazioni generiche di segnale di piccole dimensioni in cui le dimensioni e l'efficienza operativa sono requisiti fondamentali. CARATTERISTICHE: - MOSFET ad alta corrente (ID=650mA) - Protezione ESD fino a 2kV - MOSFET a basso rDS(ON) (275mΩ MAX @ VGS=2.5V) - Diodo Schottky a basso VF (0,47V MAX @ 0,5A) APPLICAZIONI: - Convertitori DC-DC - Potenziare i convertitori - Comandi del motore - Apparecchiature portatili a batteria

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