Attuatore piezoelettrico lineare BBPXMS-PL100 V101 V-300 Vper applicazioni industriali
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Caratteristiche
- Movimento
- lineare
- Tensione
- 100 V, 101 V-300 V
- Altre caratteristiche
- per applicazioni industriali, in ceramica, multistrato
- Corsa
Max.: 0,1 mm
(0,004 in)Min.: 0,005 mm
(0 in)- Forza
Max.: 4 kN
Min.: 0,16 kN
Descrizione
Panoramica del prodotto
BBPXMS-PL utilizza chip ceramici multistrato impilati assialmente e incollati con epossidica per generare microspostamento assiale. Le configurazioni coprono una gamma di escursioni, frequenze e forze di uscita adatte ad applicazioni industriali di posizionamento di precisione.
Costruzione e opzioni
Specifiche disponibili
Tensione di pilotaggio: 75 V
Tensione | Dimensioni — Lunghezza × larghezza × altezza | Capacitanza ±15% | Frequenza | Spostamento nominale ±15% | Forza massima generata
75 V | 3.0 × 3.0 × 18.8 mm | 2.25 µF | 65 kHz | 18.0 µm | 360 N
75 V | 3.0 × 3.0 × 31.0 mm | 3.75 µF | 40 kHz | 30.0 µm | 360 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 10.5 mm | 4.2 µF | 115 kHz | 11.2 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 18.0 mm | 7.3 µF | 65 kHz | 19.6 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 23.0 mm | 9.4 µF | 55 kHz | 25.2 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 39.8 mm | 16.5 µF | 30 kHz | 44.8 µm | 1000 N
75 V | 3.0 × 3.0 × 32.2 mm | 3.75 µF | 40 kHz | 30.0 µm | 360 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 12.6 mm | 4.2 µF | 115 kHz | 11.2 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 20.1 mm | 7.3 µF | 65 kHz | 19.6 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 25.1 mm | 9.4 µF | 55 kHz | 25.2 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 41.9 mm | 16.5 µF | 30 kHz | 44.8 µm | 1000 N
Tensione di pilotaggio: 100 V
Tensione | Dimensioni — Lunghezza × larghezza × altezza | Capacitanza ±15% | Frequenza | Spostamento nominale ±15% | Forza massima generata
100 V | 2.0 × 2.0 × 10.9 mm | 240 nF | 115 kHz | 9.5 µm | 160 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 10.9 mm | 620 nF | 115 kHz | 10.5 µm | 360 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 20.9 mm | 1.25 µF | 60 kHz | 21.0 µm | 360 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 31.0 mm | 1.85 µF | 40 kHz | 31.5 µm | 360 N
100 V | 2.0 × 2.0 × 11.5 mm | 240 nF | 115 kHz | 9.5 µm | 160 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 12.0 mm | 620 nF | 115 kHz | 10.5 µm | 360 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 22.1 mm | 1250 nF | 60 kHz | 21.0 µm | 360 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 32.2 mm | 1850 nF | 40 kHz | 31.5 µm | 360 N
Tensione di pilotaggio: 120 V
Tensione | Dimensioni — Lunghezza × larghezza × altezza | Capacitanza ±15% | Frequenza | Spostamento nominale ±15% | Forza massima generata
120 V | 7.0 × 7.0 × 36.0 mm | 7.2 µF | 35 kHz | 38.0 µm | 1960 N
Tensione di pilotaggio: 150 V
Tensione | Dimensioni — Lunghezza × larghezza × altezza | Capacitanza ±15% | Frequenza | Spostamento nominale ±15% | Forza massima generata
150 V | 2.0 × 2.0 × 10.9 mm | 110 nF | 115 kHz | 9.5 µm | 160 N
150 V | 2.5 × 2.5 × 5.0 mm | 100 nF | 250 kHz | 5.2 µm | 250 N
150 V | 2.5 × 2.5 × 10.0 mm | 175 nF | 130 kHz | 9.2 µm | 250 N
150 V | 2.5 × 2.5 × 19.4 mm | 360 nF | 68 kHz | 19.0 µm | 250 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 5.0 mm | 130 nF | 265 kHz | 4.8 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 7.0 mm | 180 nF | 192 kHz | 6.8 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 9.0 mm | 250 nF | 140 kHz | 9.5 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 10.0 mm | 275 nF | 132 kHz | 11.0 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 18.8 mm | 530 nF | 65 kHz | 19.8 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 31.0 mm | 930 nF | 40 kHz | 33.0 µm | 360 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 9.0 mm | 650 nF | 140 kHz | 9.5 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 10.0 mm | 800 nF | 126 kHz | 10.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 12.0 mm | 850 nF | 105 kHz | 12.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 18.0 mm | 1.5 µF | 70 kHz | 20.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 20.0 mm | 1.6 µF | 65 kHz | 21.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 36.0 mm | 3.0 µF | 34 kHz | 40.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 38.0 mm | 3.3 µF | 34 kHz | 40.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 40.0 mm | 3.2 µF | 32 kHz | 43.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 48.0 mm | 4.2 µF | 26 kHz | 50.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 50.0 mm | 4.1 µF | 25 kHz | 55.0 µm | 1000 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 9.0 mm | 1.4 µF | 130 kHz | 8.5 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 18.0 mm | 2.9 µF | 70 kHz | 19.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 20.0 mm | 3.2 µF | 62 kHz | 21.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 30.0 mm | 4.6 µF | 42 kHz | 32.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 36.0 mm | 6.0 µF | 35 kHz | 38.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 45.0 mm | 7.2 µF | 27 kHz | 50.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 50.0 mm | 8.5 µF | 24 kHz | 55.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 90.0 mm | 15.5 µF | 14 kHz | 100.0 µm | 1960 N
150 V | 10.0 × 10.0 × 18.0 mm | 6.0 µF | 65 kHz | 20.0 µm | 4000 N
150 V | 10.0 × 10.0 × 36.0 mm | 13.0 µF | 34 kHz | 40.0 µm | 4000 N
150 V | 10.0 × 10.0 × 45.0 mm | 15.0 µF | 15 kHz | 50.0 µm | 4000 N
Uso e selezione
Specifiche tecniche
BBPXMS-PL utilizza chip ceramici multistrato impilati assialmente e incollati con epossidica per generare microspostamento assiale. Le configurazioni coprono una gamma di escursioni, frequenze e forze di uscita adatte ad applicazioni industriali di posizionamento di precisione.
Costruzione e opzioni
- Isolamento laterale in ceramica e avvolgimento con nastro Kapton®; i conduttori standard sono di circa 75 mm di lunghezza.
- Tappi in ceramica disponibili in forma piatta o emisferica.
- Dimensioni, tensione di pilotaggio e rivestimento superficiale personalizzabili.
Specifiche disponibili
Tensione di pilotaggio: 75 V
Tensione | Dimensioni — Lunghezza × larghezza × altezza | Capacitanza ±15% | Frequenza | Spostamento nominale ±15% | Forza massima generata
75 V | 3.0 × 3.0 × 18.8 mm | 2.25 µF | 65 kHz | 18.0 µm | 360 N
75 V | 3.0 × 3.0 × 31.0 mm | 3.75 µF | 40 kHz | 30.0 µm | 360 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 10.5 mm | 4.2 µF | 115 kHz | 11.2 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 18.0 mm | 7.3 µF | 65 kHz | 19.6 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 23.0 mm | 9.4 µF | 55 kHz | 25.2 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 39.8 mm | 16.5 µF | 30 kHz | 44.8 µm | 1000 N
75 V | 3.0 × 3.0 × 32.2 mm | 3.75 µF | 40 kHz | 30.0 µm | 360 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 12.6 mm | 4.2 µF | 115 kHz | 11.2 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 20.1 mm | 7.3 µF | 65 kHz | 19.6 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 25.1 mm | 9.4 µF | 55 kHz | 25.2 µm | 1000 N
75 V | 5.0 × 5.0 × 41.9 mm | 16.5 µF | 30 kHz | 44.8 µm | 1000 N
Tensione di pilotaggio: 100 V
Tensione | Dimensioni — Lunghezza × larghezza × altezza | Capacitanza ±15% | Frequenza | Spostamento nominale ±15% | Forza massima generata
100 V | 2.0 × 2.0 × 10.9 mm | 240 nF | 115 kHz | 9.5 µm | 160 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 10.9 mm | 620 nF | 115 kHz | 10.5 µm | 360 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 20.9 mm | 1.25 µF | 60 kHz | 21.0 µm | 360 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 31.0 mm | 1.85 µF | 40 kHz | 31.5 µm | 360 N
100 V | 2.0 × 2.0 × 11.5 mm | 240 nF | 115 kHz | 9.5 µm | 160 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 12.0 mm | 620 nF | 115 kHz | 10.5 µm | 360 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 22.1 mm | 1250 nF | 60 kHz | 21.0 µm | 360 N
100 V | 3.0 × 3.0 × 32.2 mm | 1850 nF | 40 kHz | 31.5 µm | 360 N
Tensione di pilotaggio: 120 V
Tensione | Dimensioni — Lunghezza × larghezza × altezza | Capacitanza ±15% | Frequenza | Spostamento nominale ±15% | Forza massima generata
120 V | 7.0 × 7.0 × 36.0 mm | 7.2 µF | 35 kHz | 38.0 µm | 1960 N
Tensione di pilotaggio: 150 V
Tensione | Dimensioni — Lunghezza × larghezza × altezza | Capacitanza ±15% | Frequenza | Spostamento nominale ±15% | Forza massima generata
150 V | 2.0 × 2.0 × 10.9 mm | 110 nF | 115 kHz | 9.5 µm | 160 N
150 V | 2.5 × 2.5 × 5.0 mm | 100 nF | 250 kHz | 5.2 µm | 250 N
150 V | 2.5 × 2.5 × 10.0 mm | 175 nF | 130 kHz | 9.2 µm | 250 N
150 V | 2.5 × 2.5 × 19.4 mm | 360 nF | 68 kHz | 19.0 µm | 250 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 5.0 mm | 130 nF | 265 kHz | 4.8 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 7.0 mm | 180 nF | 192 kHz | 6.8 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 9.0 mm | 250 nF | 140 kHz | 9.5 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 10.0 mm | 275 nF | 132 kHz | 11.0 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 18.8 mm | 530 nF | 65 kHz | 19.8 µm | 360 N
150 V | 3.0 × 3.0 × 31.0 mm | 930 nF | 40 kHz | 33.0 µm | 360 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 9.0 mm | 650 nF | 140 kHz | 9.5 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 10.0 mm | 800 nF | 126 kHz | 10.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 12.0 mm | 850 nF | 105 kHz | 12.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 18.0 mm | 1.5 µF | 70 kHz | 20.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 20.0 mm | 1.6 µF | 65 kHz | 21.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 36.0 mm | 3.0 µF | 34 kHz | 40.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 38.0 mm | 3.3 µF | 34 kHz | 40.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 40.0 mm | 3.2 µF | 32 kHz | 43.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 48.0 mm | 4.2 µF | 26 kHz | 50.0 µm | 1000 N
150 V | 5.0 × 5.0 × 50.0 mm | 4.1 µF | 25 kHz | 55.0 µm | 1000 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 9.0 mm | 1.4 µF | 130 kHz | 8.5 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 18.0 mm | 2.9 µF | 70 kHz | 19.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 20.0 mm | 3.2 µF | 62 kHz | 21.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 30.0 mm | 4.6 µF | 42 kHz | 32.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 36.0 mm | 6.0 µF | 35 kHz | 38.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 45.0 mm | 7.2 µF | 27 kHz | 50.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 50.0 mm | 8.5 µF | 24 kHz | 55.0 µm | 1960 N
150 V | 7.0 × 7.0 × 90.0 mm | 15.5 µF | 14 kHz | 100.0 µm | 1960 N
150 V | 10.0 × 10.0 × 18.0 mm | 6.0 µF | 65 kHz | 20.0 µm | 4000 N
150 V | 10.0 × 10.0 × 36.0 mm | 13.0 µF | 34 kHz | 40.0 µm | 4000 N
150 V | 10.0 × 10.0 × 45.0 mm | 15.0 µF | 15 kHz | 50.0 µm | 4000 N
Uso e selezione
- Ogni riga rappresenta una configurazione. Selezionare tensione, spostamento, frequenza e forza congiuntamente.
- Lo spostamento effettivo dipende dalla tensione di pilotaggio, dal carico e dal montaggio. Evitare urti, flessioni e stress concentrati durante l'assemblaggio.
- Per vuoto o ambienti speciali, verificare l'idoneità dei conduttori, dell'incollaggio e dell'incapsulamento.
- Applicare i carichi lungo l'asse, evitando carichi eccentrici e forze di taglio. Abbinare il tappo terminale alla disposizione del contatto.
Specifiche tecniche
- Modello: BBPXMS-PL (attuatore piezoelettrico a stack multistrato quadrato)
- Tensioni di pilotaggio disponibili: 75 V, 100 V, 120 V, 150 V
- Esempio di intervallo dimensionale: da 2.0 × 2.0 × ~5.0 mm fino a 10.0 × 10.0 × 93.5 mm (varie configurazioni elencate)
- Gamma di capacità (esempi): ~100 nF fino a ~16 µF a seconda della configurazione
- Gamma di frequenza (esempi): ~14 kHz fino a ~265 kHz a seconda della configurazione
- Gamma di spostamento nominale (esempi): ~4.8 µm fino a 100.0 µm (±15%) a seconda della configurazione
- Forza massima generata: configurazioni da 160 N fino a 4000 N (a seconda della dimensione/serie)
- Costruzione: chip ceramici multistrato impilati assialmente, incollaggio epossidico
- Isolamento/avvolgimento: isolamento laterale in ceramica e nastro Kapton®
- Opzioni tappo terminale: piatto o emisferico
- Lunghezza conduttori standard: circa 75 mm (conduttori, rivestimenti, dimensioni personalizzabili)
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