Transistor HEMT GNP1070TC-Z

di potenzadi commutazionea resistenza

GNP1070TC-Z è un HEMT GaN da 650 V che ha raggiunto la classe FOM più alta del settore (Ron*Ciss、Ron*Coss). È un prodotto della serie EcoGaN™ che contribuisce all'efficienza della conversione di potenza e alla riduzione delle dimensioni sfruttando al meglio la bassa resistenza di accensione e la commutazione ad alta velocità. La funzione di protezione ESD è integrata per una progettazione ad alta affidabilità. Inoltre, i pacchetti altamente versatili garantiscono un'eccellente dissipazione del calore e facilitano il montaggio. Panoramica Questo prodotto offre prestazioni leader nel settore in termini di RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, una cifra di merito per gli HEMT GaN, che si traduce in una maggiore efficienza nei sistemi di alimentazione. Allo stesso tempo, un elemento di protezione ESD integrato migliora la resistenza alla rottura elettrostatica fino a 3,5kV, garantendo una maggiore affidabilità dell'applicazione. Le caratteristiche di commutazione ad alta velocità dei GaN HEMT contribuiscono inoltre a una maggiore miniaturizzazione dei componenti periferici. Esempi di applicazione Ideale per un'ampia gamma di sistemi di alimentazione in apparecchiature industriali e dispositivi di consumo, tra cui server e adattatori di corrente alternata