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Transistori ad effetto di campo ROHM Semiconductor
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Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V
... MOSFET a canale P a livello normale e logico, che riducono la complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza I MOSFET OptiMOS™ a canale P da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata ...
Infineon Technologies AG
Tensione: 110, 265 V
... elettromagnetiche Il riavvio automatico migliorato fornisce <3% della potenza massima in condizioni di corto circuito e di guasto ad anello aperto L'accurata funzione di arresto termico isteretico si ripristina automaticamente ...
... portafoglio di transistor RF bipolari al silicio e FET GaAs I transistor RF GaAs FET RF sono ideali per il primo o secondo stadio della stazione base LNA grazie all'eccellente combinazione di bassa figura ...
Corrente: 2 A
Tensione: 36 V
... Con questo MOSFET è possibile controllare una tensione fino a 36 Volt. Con la modulazione dell'ampiezza degli impulsi, è possibile abbassare la tensione quadratica (ad esempio per attenuare una luce LED). COMPATIBILE CON Arduino, Raspberry ...
... Caratteristiche Bassissimo rumore PHEMT. Il processo è ottimizzato per fornire una figura di rumore molto bassa per le stazioni base cellulari/PCS critiche e altre applicazioni RF senza fili, elevata coerenza da parte a parte ed eccellente ...
Broadcom
Corrente: 20 A
Tensione: 650 V
... GNP1070TC-Z è un HEMT GaN da 650 V che ha raggiunto la classe FOM più alta del settore (Ron*Ciss、Ron*Coss). È un prodotto della serie EcoGaN™ che contribuisce all'efficienza della conversione di potenza e alla riduzione delle dimensioni ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensione: 36 V - 70 V
... La ST offre un'ampia gamma di interruttori low-side (OMNIFET) intelligenti a 3 e 5 pin per il settore automobilistico basati sulla tecnologia VIPower (vertical intelligent power). Questa tecnologia proprietaria permette l'integrazione ...
Tensione: -400 V - 1.000 V
... Vishay è il primo produttore mondiale di MOSFET a bassa potenza. La linea di prodotti MOSFET di potenza Vishay Siliconix include dispositivi in più di 30 tipi di confezione, tra cui le famiglie MICRO FOOT® in scala di chip e PowerPAK® ...
Tensione: 50 V
... DESCRIZIONE: Il Central Semiconductor CMKT3920 (due singoli transistor NPN) è una doppia combinazione in uno spazio pacchetto SOT-363 ULTRAmini™ a risparmio, progettato per piccoli amplificatori di segnale per uso generale ...
Central Semiconductor
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita ...
Corrente: 0,12, 0,28, 0,2 mA
Tensione: 60 V
... Applicazioni tipiche Elaborazione del segnale, convertitore di livello logico convertitore di livello logico, driver Grado commerciale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101*) Suffisso -AQ: conforme a AEC-Q101 *) Caratteristiche Tempi di ...
Diotec
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