Macchina per deposizione ALD ALD 1200

di film sottilirobotizzataottica

Panoramica Provate il più innovativo sistema di deposizione di strati atomici per rivestimenti ottici: il Leybold Optics ALD 1200. ALD spaziale potenziato al plasma per film bifacciali e ultra-uniformi su substrati fino a 8x ⌀300 mm. Il sistema produce rivestimenti ultrasottili, densi e a sollecitazione controllata su substrati 3D microstrutturati e curvi, su entrambi i lati in un solo passaggio. Grazie alle elevate velocità di deposizione su 8 substrati fino a 300 mm, alle temperature di processo comprese tra 50 e 230 °C e alle soluzioni di manipolazione dei wafer completamente personalizzabili, il sistema combina la migliore conformità della categoria con una produttività e una pulizia di livello semiconduttore. Benefici principali

• Precisione su ogni superficie: Rivestimenti conformali ultrasottili su substrati 3D nano-strutturati e curvi
• Ottimizzati per un'elevata produttività: La separazione spaziale dei gas aumenta i tassi di crescita; produzione di più wafer in un unico ciclo
• Si adatta alle vostre esigenze: Rivestimenti bifacciali senza capovolgimento, riducendo il tempo di ciclo e il rischio di particelle
• Agilità dei materiali: elevata flessibilità dei materiali con utilizzo efficiente dei precursori per una scalabilità economicamente vantaggiosa
• Monitoraggio ottico in situ: Controllo ad anello chiuso OMS 6000 per stack multistrato complessi con risultati ripetibili
• Integrazione completa della fabbrica: Gestione automatizzata dei wafer SMIF e FOUP; conforme a SEMI S2/S8; compatibile con SECS:GEM

Caratteristiche in evidenza

• Elevate velocità di deposizione fino a 0,5 nm/s su 8 substrati
• Formati scalabili fino a dimensioni di substrato di 300 mm; non uniformità < ±1.0% su 300 mm
• Elevata conformità e rivestimenti neutri alle sollecitazioni
• Bassa temperatura di deposizione assistita da plasma < 100°C per substrati sensibili alla temperatura
• Supporto per un massimo di 4 precursori diversi
• Pulizia pronta per la produzione con bassi livelli di particelle su misura per ottiche di precisione e linee di semiconduttori
• Sistema di monitoraggio ottico in situ OMS 6000

Applicazioni L'ALD 1200 è ideale per le applicazioni che richiedono rivestimenti ultra-uniformi e privi di fori di spillo su strutture complesse o substrati 3D, come lenti altamente curve e strutture con elevato rapporto d'aspetto. Le aree di applicazione tipiche includono:

• Produzione di semiconduttori (maschere rigide, riempimento di trench, ossidi di gate, incapsulamento)
• Ottica di precisione e integrazione fotonica (PIC, metasuperfici, elementi ottici diffrattivi)
• Sensing (sensori di prossimità, imaging iperspettrale, LiDAR, CIS)
• Illuminazione e display (LED, microLED, VCSEL, OLED)
• Scienze della vita (microscopia, endoscopia)
• Ottica di consumo (lenti per smartphone e fotocamere, occhiali AR)

Processi di rivestimento

• Filtri
• Specchi
• Rivestimenti AR
• Riempimento di trincee
• Rivestimenti barriera
• Ossidi di gate

Materiali (esempi)

• SiO2 e vari materiali ossidi
• Gruppo di materiali TCO e altri materiali su richiesta

FAQ - Buono a sapersi

• Quando utilizzare l'ALD? Quando la qualità ottica, l'integrità della barriera e l'uniformità 3D sono fondamentali. L'ALD spaziale potenziato al plasma produce film densi e privi di tensioni a basse temperature con un controllo preciso e ripetibile degli strati.
• Come funziona l'ALD spaziale? L'ALD spaziale deposita film sottili ripetendo reazioni superficiali autolimitanti: i precursori si chemisorbono sul substrato, vengono modificati nella zona del plasma e si depositano strato per strato per un controllo preciso dello spessore e una copertura conforme.
• Benefici rispetto a sputtering/evaporazione: L'ALD offre una conformità superiore, film privi di fori e controllo delle sollecitazioni su substrati 3D complessi.

Caratteristiche/specifiche tecniche

• Modello: ALD 1200 (Leybold Optics)
• Metodo di deposizione: Plasma-Enhanced Spatial ALD, plasma-assistito, bifacciale in un unico passaggio
• Capacità del substrato: multi-wafer (fino a 8 substrati)
• Dimensione massima del substrato supportato: Ø 300 mm
• Velocità di deposizione: fino a 0,5 nm/s su 8 substrati
• Gamma di temperature di processo: 50-230°C; opzione a bassa temperatura assistita da plasma < 100°C per substrati sensibili alla temperatura
• Uniformità di spessore: non uniformità < ±1,0% su 300 mm (tipica)
• Precursori: supporto per un massimo di 4 precursori diversi
• Controllo: Monitoraggio ottico in situ OMS 6000 per il controllo ad anello chiuso delle pile multistrato
• Pulizia: pulizia fab-ready con bassi livelli di particelle su misura per le linee di ottica di precisione e semiconduttori
• Integrazione: Gestione automatizzata dei wafer SMIF e FOUP; conforme a SEMI S2/S8; compatibile con SECS:GEM
• Applicazioni mirate: dispositivi a semiconduttore, ottica di precisione, integrazione fotonica, rilevamento, illuminazione/display, scienze biologiche, ottica di consumo