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Diodo a giunzione p-n BAS series
SMDdi commutazionein silicio

Diodo a giunzione p-n - BAS series - Central Semiconductor - SMD / di commutazione / in silicio
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Caratteristiche

Tecnologia
a giunzione p-n
Montaggio
SMD
Funzione
di commutazione
Caratteristiche tecniche
in silicio
Tensione inversa

60 V, 75 V, 85 V

Descrizione

CENTRAL SEMICONDUCTOR BAS28 è costituito da due diodi di commutazione al silicio ad altissima velocità isolati elettricamente, prodotti con processo planare epitassiale e confezionati in un contenitore a montaggio superficiale SOT-143 stampato con resina epossidica. Questo dispositivo è progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. CODICE DI MARCATURA: A61 o JTW CENTRAL SEMICONDUCTOR BAS56 è costituito da due diodi di commutazione al silicio ad altissima velocità isolati elettricamente, prodotti con processo planare epitassiale e confezionati in un contenitore SOT-143 stampato in resina epossidica a montaggio superficiale. Questo dispositivo è progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. CODICE DI MARCATURA: L51 o WL5

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