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Diodo a giunzione p-n CMHD series
per montaggio in superficiedi raddrizzamentoin silicio

Diodo a giunzione p-n - CMHD series - Central Semiconductor - per montaggio in superficie / di raddrizzamento / in silicio
Diodo a giunzione p-n - CMHD series - Central Semiconductor - per montaggio in superficie / di raddrizzamento / in silicio
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Caratteristiche

Tecnologia
a giunzione p-n
Montaggio
per montaggio in superficie
Funzione
di raddrizzamento
Caratteristiche tecniche
in silicio
Tensione inversa

Max.: 250 V

Min.: 50 V

Descrizione

I tipi CMHD457A e CMHD459A di CENTRAL SEMICONDUCTOR sono diodi planari al silicio, stampati in resina epossidica in un contenitore a montaggio superficiale SOD-123, progettati per applicazioni a bassa dispersione. CODICI DI MARCATURA: CMHD457A: C7A CMHD459A: C9A Il tipo CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD4448 è un diodo di commutazione al silicio ad altissima velocità prodotto con processo planare epitassiale, stampato in resina epossidica in un contenitore a montaggio superficiale SOD-123, progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. CODICE DI MARCATURA: C48 Il tipo CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD4150 è un diodo di commutazione al silicio ad alta velocità prodotto con processo planare epitassiale, in un contenitore a montaggio superficiale stampato in resina epossidica, progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. CODICE DI MARCATURA: C50 CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD3595 è un diodo al silicio, prodotto con processo planare epitassiale, stampato in resina epossidica in un contenitore a montaggio superficiale, progettato per applicazioni ad alta conduttanza che richiedono basse perdite. CODICE DI MARCATURA: C95 CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD2003 è un diodo di commutazione al silicio, prodotto con processo planare epitassiale, stampato in resina epossidica in un contenitore a montaggio superficiale SOD-123, progettato per applicazioni che richiedono capacità di alta tensione. CODICE DI MARCATURA: C03

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