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MOSFET
Diodes Incorporated

MOSFET 25 V | DMP2039UFDE4

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Descrizione

Questo nuovo MOSFET della generazione è stato destinato per minimizzare la resistenza del onstate (RDS (sopra)) ma effettui le prestazioni superiori di commutazione, rendente lo ideale per le applicazioni dell'amministrazione di alimentazione di alta efficienza. Caratteristiche e benefici RDS basso (SOPRA) si accerta sopra dichiara le perdite è minimizzato profilo di 0.4mm ideale per le applicazioni di profilo basso Orma del PWB di 4mm2 Capacità bassa dell'input Cancello protetto ESD Piombo, alogeno ed antimonio liberamente, RoHS Compliant Dispositivo ?di verde? Qualificato ai campioni AEC-Q101 per alta affidabilità

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driver LED per illuminazione 100 V, 350 mA | AL5801

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circuito timer integrato 0.5 MHz, 4.5 - 16 V | SA555

interruttore di bassa potenza 2.5 - 5.5 V, 8 µA | AH1807

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interruttore di bassa potenza 2.5 - 3.6 V, 8 µA | AH1808

ad effetto Hall

interruttore di bassa potenza 2.5 - 5.5 V, 8 µA | AH1809

ad effetto Hall

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analogicoin miniatura

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a bassa tensionead effetto Hall

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in circuito integrato

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commutatore sensibile 2 A, 2.7 - 5.5 V | AP2311

di potenzacircuito integrato

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commutatore sensibile AP2511

di potenzacircuito integrato

commutatore a rullino 2.1 A, 5.5 V | AP2552

di potenzacircuito integrato

commutatore a rullino 2.1 A, 5.5 V | AP2553

di potenzacircuito integrato

porta logica standard 1.65 - 5.5 V | 74LVC00A

porta logica standard 1.65 - 5.5 V | 74LVC04A

porta logica standard 1.65 - 5.5 V | 74LVC06A

porta logica standard 1.65 - 5.5 V | 74LVC07A

porta logica standard 1.65 - 5.5 V | 74LVC08A

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