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- Sensore di immagine InGaAs
- Raythink Technology Co., Ltd.
Sensore di immagine con matrice sul piano focale RSS101M1InGaAsSWIRa infrarossi
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Caratteristiche
- Tecnologia
- con matrice sul piano focale, InGaAs
- Spettro
- SWIR, a infrarossi
- Altre caratteristiche
- ad alta velocità, con scansione di area, largo, a raffreddamento termoelettrico
Descrizione
Panoramica prodotto
Il RSS101M1 è un rivelatore di piano focale InGaAs per infrarosso a onde corte (SWIR) digitale, con matrice 1280×1024 e passo pixel di 10µm. Supporta il windowing ROI ad alta velocità ed è alloggiato in un involucro metallico ermetico con TEC monostadio integrato per il controllo attivo della temperatura. Progettato per applicazioni di imaging esigenti, offre basso rumore, consumo energetico contenuto e un grande formato adatto ad ambiti industriali e scientifici.
Caratteristiche principali
Applicazioni
Specifiche tecniche
Sensore: InGaAs
Gamma di risposta spettrale: 0.9µm – 1.7µm
Efficienza quantica: >70% (1.0µm–1.6µm)
Fattore di riempimento ottico: 100%
Passo pixel: 10µm
Dimensione matrice: 1280×1024
Percentuale di pixel efficaci: ≥99.8%
Frame rate massimo (finestra completa): 60fps
Tipo di integrazione: global shutter
Tempo di integrazione minimo: 1µs
Rumore di lettura (tipico): 45e@20°C (modalità alto guadagno)
Guadagno opzionale: 3 livelli
Corrente scura media per pixel: ≤90ke/s@20°C
Consumo energetico: ≤350mW
Profondità bit in uscita effettiva: 13bit
Dynamic range: ≥48dB
Non‑uniformità di risposta: ≤5% (non corretta)
Tipo di involucro: involucro metallico ermetico (TEC monostadio integrato)
Dimensioni: 32.0×23.5×7.0mm³ (escl. pin)
Peso dispositivo: 28±2g
Temperatura operativa: -40°C – +65°C
Temperatura di stoccaggio: -45°C – +70°C
Il RSS101M1 è un rivelatore di piano focale InGaAs per infrarosso a onde corte (SWIR) digitale, con matrice 1280×1024 e passo pixel di 10µm. Supporta il windowing ROI ad alta velocità ed è alloggiato in un involucro metallico ermetico con TEC monostadio integrato per il controllo attivo della temperatura. Progettato per applicazioni di imaging esigenti, offre basso rumore, consumo energetico contenuto e un grande formato adatto ad ambiti industriali e scientifici.
Caratteristiche principali
- Passo pixel: 10µm
- Dimensione matrice: 1280×1024
- Frame rate massimo (finestra completa): 60fps
- Tipo di integrazione: global shutter
- Tempo di integrazione minimo: 1µs
- Rumore di lettura (tipico): 45e@20°C (modalità alto guadagno)
- Guadagno opzionale: 3 livelli
- Packaging: involucro metallico ermetico con TEC monostadio integrato
- Consumo energetico: ≤350mW
- Dimensioni: 32.0×23.5×7.0mm³ (escl. pin)
- Peso dispositivo: 28±2g
Applicazioni
- Miglioramento visivo e visione notturna esterna
- Visione industriale e ispezione processo/difetti
- Ispezione di celle fotovoltaiche
- Telerilevamento spaziale e imaging scientifico
Specifiche tecniche
Sensore: InGaAs
Gamma di risposta spettrale: 0.9µm – 1.7µm
Efficienza quantica: >70% (1.0µm–1.6µm)
Fattore di riempimento ottico: 100%
Passo pixel: 10µm
Dimensione matrice: 1280×1024
Percentuale di pixel efficaci: ≥99.8%
Frame rate massimo (finestra completa): 60fps
Tipo di integrazione: global shutter
Tempo di integrazione minimo: 1µs
Rumore di lettura (tipico): 45e@20°C (modalità alto guadagno)
Guadagno opzionale: 3 livelli
Corrente scura media per pixel: ≤90ke/s@20°C
Consumo energetico: ≤350mW
Profondità bit in uscita effettiva: 13bit
Dynamic range: ≥48dB
Non‑uniformità di risposta: ≤5% (non corretta)
Tipo di involucro: involucro metallico ermetico (TEC monostadio integrato)
Dimensioni: 32.0×23.5×7.0mm³ (escl. pin)
Peso dispositivo: 28±2g
Temperatura operativa: -40°C – +65°C
Temperatura di stoccaggio: -45°C – +70°C
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