Gate driver MOSFET BD2320EFJ-LA

IGBT

Questo prodotto garantisce un supporto a lungo termine nel mercato industriale. BD2320EFJ-LA è un driver per gate High-Side e Low-Side con tensione massima di 100 V in grado di pilotare Nch-FET esterni con il metodo bootstrap. Il driver include un diodo di bootstrap da 100 V e un controllo indipendente degli ingressi per High-Side e Low-Side. 3.per la tensione di interfaccia sono disponibili 3V e 5,0V. I circuiti di blocco sotto tensione sono integrati per il lato alto e il lato basso. Prodotto di lunga durata per applicazioni industriali. Blocco di sottotensione (UVLO) per driver High-Side e Low-Side 3.tensione di interfaccia a 3 V e 5,0 V Uscita in fase con il segnale di ingresso