MOSFET ad alta velocità R6038XNJ2

resistenza alta tensionein silicio

Panoramica
Il R6038XNJ2 è un MOSFET di potenza Super Junction N‑channel da 600 V per commutazione ad alta velocità, con bassa resistenza di conduzione e buone caratteristiche di commutazione in un package SMD compatto TOLL. È destinato ad applicazioni di commutazione ad alta densità di potenza e ingombro ridotto, come alimentatori per server AI, data center e apparecchiature industriali. La tensione di soglia di gate VGS(th) è indicativamente 3–5 V, garantendo compatibilità con i circuiti di pilotaggio più comuni.

Caratteristiche

• Bassa resistenza di conduzione (RDS(on) tip. 0,08 Ω a VGS=10 V)
• Commutazione rapida (trr tip. 291 ns)
• Requisiti di pilotaggio semplificati (tensione di pilotaggio raccomandata 10 V)
• Placcatura senza Pb; conforme RoHS
• Composto di stampaggio privo di alogeni

Esempi di applicazione

• Alimentatori per server AI e data center
• Alimentatori switching per apparecchiature industriali e consumer (LLC, PFC, Flyback, ecc.)
• Azionamenti motore e inverter per ventole, servo AC e altre applicazioni motoristiche

Informazioni sul pezzo (imballaggio / ordine)
Numero di parte: R6038XNJ2TRDC
Stato: Raccomandato
Package: TOLL (MO-299)
Tipo di imballo: Taping
Quantità per unità: 2000
Quantità minima per confezione: 2000
RoHS: Sì
MSL: 1

Note di sviluppo
Il dispositivo risponde alla crescente domanda di potenza ed efficienza riducendo perdite di conduzione e commutazione e migliorando le prestazioni termiche in un package SMD con footprint comune sul mercato, facilitando layout compatti e opzioni di seconda fonte.

Specifiche tecniche

• Modello: R6038XNJ2
• Codice package: TOLL (MO-299)
• Applicazione: Switching
• Numero di terminali: 9
• Polarità: N‑channel
• Tensione Drain‑Source V(DSS): 600 V
• Corrente di drain I(D): 114 A
• RDS(on) (Tip.) @ VGS=10 V: 0,08 Ω
• Carica totale di gate Qg: 48 nC
• Potenza dissipata PD: 348 W
• Tensione di pilotaggio raccomandata: 10 V
• trr (Tip.): 291 ns
• Montaggio: Surface mount
• Temperatura di stoccaggio: -55 °C a 150 °C
• Dimensioni package: 11,68 x 9,9 mm (t = 2,4 mm)