MOSFET resistenza alta tensione R6055XNJ2

ad alta velocitàin semiconduttorein silicio

Panoramica
R6055XNJ2 è un MOSFET di potenza Super Junction N‑channel da 600 V, progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. Offre bassa resistenza di conduzione e commutazione rapida in un package SMD TOLL compatto con buone prestazioni termiche e footprint comune sul mercato. La tensione di soglia gate tipica è compresa tra 3–5 V, garantendo ampia compatibilità dei circuiti di pilotaggio.

Caratteristiche

• Bassa RDS(on) (Tip. 0,057 Ω @ VGS = 10 V)
• Commutazione ultra‑veloce
• Semplificazione dei circuiti di pilotaggio (tensione consigliata 10 V)
• Placcatura senza Pb; conforme RoHS
• Materiale di stampaggio senza alogeni

Applicazioni

• Elementi di commutazione per conversione di potenza
• Alimentatori per server AI e data center
• Alimentatori per apparecchiature industriali e consumer (LLC, PFC, Flyback, ecc.)
• Azionamenti motore e inverter (ventilatori, servomotori AC, ecc.)

Informazioni sul prodotto
Part Number | R6055XNJ2TRDC
Status | Raccomandato
Package | TOLL (MO‑299)
Packing Type | Taping
Unit Quantity | 2000
Minimum Package Quantity | 2000
RoHS | Sì
MSL | 1

Specifiche tecniche

• Tipo di dispositivo: MOSFET Super Junction, commutazione ad alta velocità
• Polarità: N‑channel
• Tensione Drain‑Source (VDS): 600 V
• Corrente di drain (ID): 165 A
• RDS(on) (Tip.) @ VGS = 10 V: 0,057 Ω
• Carica totale di gate Qg (Tip.): 67 nC
• Potenza dissipabile (PD): 521 W
• Tensione di pilotaggio consigliata: 10 V
• trr (Tip.): 372 ns
• Numero di terminali: 9
• Metodo di montaggio: Surface mount (SMD)
• Temperatura di immagazzinamento: -55 °C a 150 °C
• Dimensioni package: 11,68 × 9,9 mm (t = 2,4 mm)