1. Prodotti
  2. MOSFET
  3. ROHM Semiconductor

MOSFET ad alta velocità R6035WNJ2
resistenza alta tensionenon specificato

MOSFET ad alta velocità - R6035WNJ2 - ROHM Semiconductor - resistenza alta tensione / non specificato
MOSFET ad alta velocità - R6035WNJ2 - ROHM Semiconductor - resistenza alta tensione / non specificato
MOSFET ad alta velocità - R6035WNJ2 - ROHM Semiconductor - resistenza alta tensione / non specificato - immagine - 2
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti

Caratteristiche

Specificazioni
ad alta velocità, resistenza alta tensione

Descrizione

Panoramica
Il R6035WNJ2 è un MOSFET Super Junction N-channel PrestoMOS™ da 600 V in package TOLL (MO-299) a montaggio superficiale e basso profilo. Offre bassa resistenza RDS(on) e caratteristiche di commutazione/recupero rapide, adatto ad applicazioni di potenza ad alta densità con soglie di gate nella gamma 3–5 V.

Contesto di sviluppo
L'aumento della potenza richiesta e i vincoli di spazio in server AI, data center e apparecchiature industriali richiedono maggiore densità di potenza e minori perdite di conduzione e commutazione. Il R6035WNJ2 risponde migliorando le caratteristiche di ammettenza e le prestazioni termiche in un package SMD compatto, mantenendo compatibilità con le condizioni di pilotaggio standard e il multi-sourcing.

Esempi di applicazione
  • Alimentatori per server AI e data center
  • Alimentatori switching per apparecchiature industriali e consumer (LLC, PFC, Flyback)
  • Azionamenti motore e inverter per ventilatori, servo AC e carichi simili

Caratteristiche
  • Tempo di recupero inverso rapido (trr)
  • Bassa resistenza di conduzione (RDS(on))
  • Elevata velocità di commutazione, ridotte perdite di commutazione
  • Requisiti di pilotaggio semplici (range VGS compatibile con driver standard)
  • Placcatura senza Pb; conforme RoHS
  • Composto di stampaggio privo di alogeni

Specifiche tecniche
  • Numero di parte: R6035WNJ2TRDC
  • Stato: Raccomandato
  • Nome commerciale: R6035WNJ2
  • Package: TOLL (MO-299)
  • Tipo di imballo: Taping
  • Quantità per unità: 2000
  • Quantità minima per confezione: 2000
  • RoHS: Sì
  • MSL: 1
  • Codice package: TOLL (MO-299)
  • Applicazioni: Switching
  • Numero di terminali: 9
  • Polarità: Canal N
  • Tensione Drain-Source (VDS): 600 V
  • Corrente di drain (ID): 105 A
  • RDS(on) Typ (VGS=10V): 0.095 Ω (95 mΩ)
  • Carica totale di gate (Qg): 46 nC
  • Potenza dissipabile (PD): 347 W
  • Tensione di pilotaggio: 10 V
  • trr (Typ.): 85 ns
  • Stile di montaggio: Montaggio superficiale
  • Temperatura di stoccaggio: -55 ℃ (Min) a 150 ℃ (Max)
  • Dimensioni package: 11.68 x 9.9 mm (t = 2.4)

Cataloghi

Nessun catalogo è disponibile per questo prodotto.

Vedi tutti i cataloghi di ROHM Semiconductor

Fiere

Fiere a cui parteciperà questo venditore

electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov 2026 Munich (Germania) Hall C3 - Stand 520

  • Maggiori informazioni

    Altri prodotti ROHM Semiconductor

    MOSFETs

    * I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.
    Su DirectIndustry
    DirectIndustry è un marketplace che offre agli operatori B2B un'esperienza completa, dal sourcing del prodotto all'acquisto. DirectIndustry è un'entità di VirtualExpo Group.