PanoramicaIl R6035WNJ2 è un MOSFET Super Junction N-channel PrestoMOS™ da 600 V in package TOLL (MO-299) a montaggio superficiale e basso profilo. Offre bassa resistenza RDS(on) e caratteristiche di commutazione/recupero rapide, adatto ad applicazioni di potenza ad alta densità con soglie di gate nella gamma 3–5 V.
Contesto di sviluppoL'aumento della potenza richiesta e i vincoli di spazio in server AI, data center e apparecchiature industriali richiedono maggiore densità di potenza e minori perdite di conduzione e commutazione. Il R6035WNJ2 risponde migliorando le caratteristiche di ammettenza e le prestazioni termiche in un package SMD compatto, mantenendo compatibilità con le condizioni di pilotaggio standard e il multi-sourcing.
Esempi di applicazione- Alimentatori per server AI e data center
- Alimentatori switching per apparecchiature industriali e consumer (LLC, PFC, Flyback)
- Azionamenti motore e inverter per ventilatori, servo AC e carichi simili
Caratteristiche- Tempo di recupero inverso rapido (trr)
- Bassa resistenza di conduzione (RDS(on))
- Elevata velocità di commutazione, ridotte perdite di commutazione
- Requisiti di pilotaggio semplici (range VGS compatibile con driver standard)
- Placcatura senza Pb; conforme RoHS
- Composto di stampaggio privo di alogeni
Specifiche tecniche- Numero di parte: R6035WNJ2TRDC
- Stato: Raccomandato
- Nome commerciale: R6035WNJ2
- Package: TOLL (MO-299)
- Tipo di imballo: Taping
- Quantità per unità: 2000
- Quantità minima per confezione: 2000
- RoHS: Sì
- MSL: 1
- Codice package: TOLL (MO-299)
- Applicazioni: Switching
- Numero di terminali: 9
- Polarità: Canal N
- Tensione Drain-Source (VDS): 600 V
- Corrente di drain (ID): 105 A
- RDS(on) Typ (VGS=10V): 0.095 Ω (95 mΩ)
- Carica totale di gate (Qg): 46 nC
- Potenza dissipabile (PD): 347 W
- Tensione di pilotaggio: 10 V
- trr (Typ.): 85 ns
- Stile di montaggio: Montaggio superficiale
- Temperatura di stoccaggio: -55 ℃ (Min) a 150 ℃ (Max)
- Dimensioni package: 11.68 x 9.9 mm (t = 2.4)