MOSFET resistenza alta tensione R6024WNJ2

ad alta velocitàin silicio

Panoramica
Il R6024WNJ2 è un MOSFET Super Junction PrestoMOS™ canale N da 600 V in package TOLL a bassa altezza per montaggio superficiale. Offre bassa RDS(on) e rapida recupero inverso (trr), adeguato per applicazioni di commutazione ad alta densità di potenza come alimentatori per server AI e apparecchiature industriali. La tensione di soglia di gate è specificata intorno a 3–5 V per supportare condizioni di pilotaggio comuni. Le caratteristiche di ammettenza migliorate riducono le perdite rispetto alle serie precedenti e aumentano la versatilità d'uso.

Caratteristiche

• Tempo di recupero inverso rapido (trr) per ridurre le perdite di commutazione
• Bassa resistenza di conduzione (RDS(on))
• Elevata velocità di commutazione
• Requisiti di circuito di pilotaggio semplici (tensione di pilotaggio raccomandata 10 V)
• Placcatura senza Pb; conforme RoHS
• Composto di stampaggio senza alogeni

Esempi di applicazione

• Alimentatori per server AI e data center
• Alimentatori per apparecchiature industriali e di consumo (LLC, PFC, Flyback, ecc.)
• Azionamenti motore e inverter per ventole, servomotori AC e applicazioni similari

Riepilogo package / Ordine
Part Number | R6024WNJ2TRDC
Stato | Raccomandato
Package | TOLL (MO‑299)
Tipo imballo | Taping
Quantità unità | 2000
Quantità minima per package | 2000
RoHS | Yes
MSL | 1

Specifiche tecniche

• Nome modello: R6024WNJ2
• Part number (codice d'ordine): R6024WNJ2TRDC
• Codice package: TOLL (MO‑299)
• Applicazioni: Switching
• Numero di terminali: 9
• Polarità: N‑channel
• Tensione Drain‑Source VDS: 600 V
• Corrente di drain ID: 72 A
• RDS(on) [Ω] (VGS = 10 V, Typ): 0,127 Ω
• Carica totale di gate Qg: 35 nC
• Potenza dissipabile PD: 245 W
• Tensione di pilotaggio (consigliata): 10 V
• trr (Typ.): 74 ns
• Tipo di montaggio: Surface mount
• Temperatura di immagazzinamento: -55 ℃ (Min) a 150 ℃ (Max)
• Dimensioni package: 11.68 x 9.9 mm (t = 2.4 mm)