MOSFET resistenza alta tensione R6020XNJ2

ad alta velocitàin silicio

Panoramica
Il R6020XNJ2 è un MOSFET Super Junction per switching ad alta velocità da 600 V in package TOLL SMD a basso profilo. Offre bassa RDS(on) e caratteristiche di ammettenza migliorate rispetto alla serie R60xxYNx, riducendo le perdite di conduzione e commutazione in progetti di alimentazione compatti come alimentatori per server AI e applicazioni industriali. La tensione di soglia della gate è specificata tra 3 e 5 V, supportando un'ampia gamma di condizioni di pilotaggio.

Caratteristiche principali

• Bassa resistenza RDS(on) (typ. 0,154 Ω a VGS=10 V)
• Commutazione rapida adatta a convertitori ad alta frequenza
• Compatibile con circuiti driver semplici (tensione di pilotaggio tipica 10 V)
• Placcatura senza piombo; conforme RoHS
• Composto di stampaggio senza alogeni

Applicazioni

• Alimentatori per server AI e data center
• Alimentatori per apparecchiature industriali e consumer (LLC, PFC, flyback, ecc.)
• Azionamenti motore e inverter per ventilatori, servo AC e applicazioni simili

Informazioni su package e ordine
Part Number | R6020XNJ2TRDC
Stato | Recommended
Package | TOLL (MO-299)
Tipo di imballo | Taping
Quantità per unità | 2000
Quantità minima per package | 2000
RoHS | Yes
MSL | 1

Specifiche tecniche

• Modello: R6020XNJ2
• Codice package: TOLL (MO-299)
• Applicazione: Switching
• Numero di terminali: 9
• Polarità: N-channel
• Tensione drain-source (VDS): 600 V
• Corrente di drain (ID): 60 A
• RDS(on) (Typ) @ VGS=10 V: 0,154 Ω
• Carica totale gate Qg: 25 nC
• Potenza dissipabile (PD): 182 W
• Tensione di pilotaggio (typ): 10 V
• trr (Typ.): 250 ns
• Modalità di montaggio: Surface mount
• Intervallo temperatura di stoccaggio: -55 ℃ a 150 ℃
• Dimensioni package (mm): 11.68 x 9.9 (t = 2.4)

Note
Prodotto di grado standard; consultare il datasheet per condizioni dettagliate, indicazioni termiche e raccomandazioni d'uso. Non è raccomandato per applicazioni automotive.