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MOSFET ad alta velocità R6049XNJ2
resistenza alta tensionein silicio

MOSFET ad alta velocità - R6049XNJ2 - ROHM Semiconductor - resistenza alta tensione / in silicio
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Caratteristiche

Specificazioni
ad alta velocità, resistenza alta tensione
Materiale
in silicio

Descrizione

Panoramica
MOSFET Super Junction N-canale 600V a commutazione ad alta velocità in pacchetto SMD a profilo basso TOLL (MO-299). Offre bassa RDS(on), caratteristiche di ammissione migliorate rispetto alla serie R60xxYNx precedente e una soglia di gate VGS(th) impostata nella comune gamma 3–5V per supportare vari condizioni di pilotaggio. Il footprint del pacchetto è compatibile con le impronte diffuse sul mercato per semplificare la sostituzione e la multi-sourcing nelle alimentazioni esistenti.

Contesto di sviluppo
L'aumento dei carichi di elaborazione nei data center e nelle apparecchiature industriali richiede alimentatori più efficienti, minore generazione di calore e maggiore densità di potenza in spazi ridotti. Questo MOSFET è stato sviluppato per soddisfare tali esigenze fornendo perdite di conduzione e commutazione ridotte e adottando un pacchetto SMD con prestazioni termiche migliorate per abilitare progetti di alimentazione compatti e ad alta densità.

Esempi di applicazione
  • Alimentatori per server AI e data center
  • Alimentatori per apparecchiature industriali e consumer (LLC, PFC, Flyback, ecc.)
  • Azionamenti motori e inverter per ventole, servo AC e applicazioni simili

Caratteristiche
  • Bassa resistenza RDS(on)
  • Commutazione rapida
  • Requisiti di circuito di pilotaggio semplificati
  • Rivestimento senza Pb; conforme RoHS
  • Composto di stampaggio senza alogeni

Specifiche tecniche
  • Numero di parte: R6049XNJ2TRDC
  • Nome commerciale: R6049XNJ2
  • Pacchetto: TOLL (MO-299)
  • Tipo di imballo: Taping
  • Quantità unità / Quantità minima pacchetto: 2000
  • RoHS: Yes
  • MSL: 1
  • Applicazioni: Switching
  • Numero di terminali: 9
  • Polarità: N-channel
  • Tensione Dreno‑Sorgente V DSS [V]: 600
  • Corrente di dreno ID [A]: 147
  • RDS(on) [Ω] (VGS=10V, Typ): 0.068
  • Carica totale di gate Qg [nC]: 58
  • Potenza dissipabile (PD) [W]: 448
  • Tensione di pilotaggio [V]: 10
  • trr (Typ.) [ns]: 306
  • Montaggio: Surface mount
  • Temperatura di stoccaggio (Min) [°C]: -55
  • Temperatura di stoccaggio (Max) [°C]: 150
  • Dimensioni pacchetto [mm]: 11.68 x 9.9 (t = 2.4)

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electronica Munich 2026
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