L'RM-LSR-9000 adotta la tecnologia di passivazione locale selettiva al laser per ridurre con precisione i difetti dei bordi di taglio e la ricombinazione dei portatori ai bordi. Grazie ad aggiornamenti della linea di produzione a basso costo, la potenza di ciascun modulo viene aumentata in modo stabile di 6–10 W. È perfettamente adatto ai wafer di silicio di grandi dimensioni da 182/210 e alla produzione in serie di celle ad alta efficienza di largo consumo come TOPCon e HJT, rendendolo la soluzione tecnica fondamentale per migliorare la qualità e l’efficienza delle celle fotovoltaiche in questa fase.
Capacità
≥9000UPH@182R
Laser
Laser a picosecondi verde ad alta stabilità
Fascio
Progettazione ottimizzata della conformazione del fascio
Elevata capacità, basso danno, alta stabilità
Processo semplificato
Processo semplice, facile da controllare, non richiede modifiche alla linea di produzione.
Aumento di potenza
Aumento di potenza del modulo ≥2 W.
Ampia compatibilità
Con lo sviluppo delle celle con taglio 1/3 e 1/4, l’efficienza mostra un effetto additivo indipendentemente dall’applicazione della passivazione dei bordi tramite ALD: il processo laser è compatibile con entrambi gli scenari.
Adeguamento flessibile
Supporta l’adeguamento dei sistemi PERC e TopCon esistenti.
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