Macchina scanalatrice automatica ALSI LASER1206

Panoramica
Cerchi la piattaforma ideale per sviluppare nuove soluzioni di processo per Advanced Packaging o applicazioni Power Automotive? La piattaforma ALSI LASER1206 di ASMPT include tecnologia laser avanzata che porta il processo di produzione dei chip a un nuovo livello.

Caratteristiche e vantaggi

• Tecnologia laser avanzata multi-fascio: carico termico locale limitato per la migliore qualità di processo e elevata resistenza del die.
• Capacità di dicing e grooving per produzione ad alto volume.
• Gestione completamente automatizzata dei wafer in film frame e dei wafer nudi.
• Include stazioni di coating, pulizia e asciugatura del coating dei wafer.
• Mini-ambiente pulito (Classe 1000): porte chiuse tra ogni modulo di processo.

Applicazioni
La LASER1206 supporta più processi e materiali per semiconduttori:

• UV-Dicing Plus
  • Materiali: Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
  • Spessore wafer: 20–200 µm
  • Processi: V-DOE dicing, trenching, deep scribe
• UV-USP-Grooving
  • Materiali: Low-K, PI, TEG
  • Spessore wafer: 60–800 µm
  • Processi: Trenching, grooving, deep scribe

Descrizione della piattaforma
La piattaforma completamente automatizzata ALSI LASER1206 gestisce wafer in film frame o wafer nudi in un ambiente pulito. La piattaforma elimina i danni termici che portano alla formazione di bave ed è uno strumento essenziale come pre-processo per il plasma dicing e altri metodi di lavorazione dei wafer di nuova generazione.

Specifiche tecniche

• Tecnologia laser avanzata multi-fascio per limitare il carico termico locale e massimizzare la resistenza dei die
• Capacità di dicing e grooving ottimizzate per la produzione ad alto volume
• Gestione automatizzata: supporto wafer in film frame e wafer nudi
• Stazioni integrate di coating, pulizia e asciugatura dei wafer
• Mini-ambiente pulito (Classe 1000) con porte chiuse tra i moduli di processo
• Processi supportati: V-DOE dicing, trenching, deep scribe, grooving
• Materiali supportati: Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
• Intervalli di spessore wafer: 20–200 µm (UV-Dicing Plus) e 60–800 µm (UV-USP-Grooving)