Microsaldatrice per chip eutettica CoS

per die attachflip-chipa epossido

Panoramica
ASMPT AMICRA CoS è un sistema di bonding multi-die progettato per applicazioni Chip-on-Submount. Esegue il posizionamento multi-die ad alta precisione su submount singolati mediante brasatura eutettica (riscaldamento tramite ceramica a impulso o riscaldamento laser localizzato non a contatto) e può essere equipaggiato con unità di stampa epossidica per pasta saldante o epossidica. Il tavolo di bonding è dotato di due mole: il lato chip utilizza l'allineamento dinamico ASMPT AMICRA per pick-and-place di alta precisione, mentre il lato submount gestisce carico/scarico dei substrati.

Caratteristiche

• Precisione di posizionamento fino a ±1,5 µm @ 3σ
• Progettato per chip-on-chip, submount e applicazioni carrier
• Carico/scarico manuale di wafer e substrati
• Tempo di ciclo tipico 6–10 s (dipende dall'applicazione)
• Dimensione die (riscaldamento laser): 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Dimensione die (pulse heater): 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Dimensione substrato: 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Allineamento dinamico dei componenti per pick-and-place attivo
• Funzionalità Die Attach e Flip Chip
• Sistema di espulsione separato per chip e submount
• Brazatura eutettica con testina riscaldata (fino a 350°C) o pulse heater ceramico (fino a 400°C)
• Due teste di presa per carico/scarico submount
• Controllo attivo della forza di bonding con intervallo 5–500 g
• Ispezione post-bond e wafer-mapping inclusi
• Ingresso/uscita submount compatibile con Wafer, Gel Pak o Waffle Pack

Opzionali

• Unità Flip Chip
• Unità di stampa epossidica
• Unità di dispensing
• Unità di riscaldamento laser localizzato per riscaldamento non a contatto dei substrati (fino a 450°C)
• Opzioni aggiuntive personalizzabili su richiesta

Specifiche tecniche

• Precisione di posizionamento: fino a ±1,5 µm @ 3σ
• Metodi di bonding: brasatura eutettica (pulse heater ceramico o riscaldamento laser localizzato), stampa epossidica (opzionale)
• Tempo di ciclo: riportato fino a 6 s; tipico 6–10 s a seconda dell'applicazione
• Dimensione die (laser): 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Dimensione die (pulse): 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Dimensione substrato: 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Temp. max testina riscaldata: fino a 350°C
• Temp. max pulse heater ceramico: fino a 400°C
• Temp. max opzione laser: fino a 450°C
• Controllo forza: Active Bond Force Control; intervallo 5–500 g
• Tavolo di bonding: due morsetti di bonding
• Gestione: due teste di prelievo per carico/scarico submount
• Sistema di espulsione separato per chip e submount
• Ispezione post-bond integrata e wafer-mapping
• Gestione submount: ingresso/uscita compatibile con Wafer, Gel Pak o Waffle Pack