Microsaldatrice per chip eutettica NOVA Proper die attachflip-chipa epossido
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Caratteristiche
- Tecnologia
- flip-chip, a epossido, per die attach, eutettica, multi-chip, termica, chip-on-submount
- Specificazioni
- automatizzata
- Applicazioni
- per l'industria dei semiconduttori, per microassemblaggi, per wafer, per sensore, MEMS
- Altre caratteristiche
- di alta precisione, configurabile, di grande superficie
- Precisione di posizionamento
1 µm
Descrizione
Panoramica del prodotto Il NOVA Pro di ASMPT AMICRA è un sistema per die attach e flip‑chip progettato per assemblaggi ad alta precisione. Offre precisione di posizionamento fino a ±1,0 µm @ 3σ e supporta operazioni di bonding a temperature superiori a 350°C con forze di giunzione elevate. Integra allineamento dinamico e riscaldamento del substrato con laser, supportando processi di termocompressione (TCB) e attività correlate ai TSV.
Applicazioni / Mercati
Caratteristiche principali
Autoloading
Opzionale
Specifiche tecniche
Applicazioni / Mercati
- Optoelettronica
- Fotonica su silicio
- Assemblaggio VCSEL e diodi laser
- Assemblaggio fotodiodi
- Fissaggio lenti con adesivi UV
- Assemblaggi Active Optical Cable (AOC)
- Package per transceiver
- Flip chip
- 3D IC / 2.5D IC
- Termocompressione (TCB)
- Processi Through‑Silicon Via (TSV)
- Chip on Chip, Chip on Wafer, Chip on Substrate
- Multi‑Chip Module (MCM)
- Die attach con epossidici per packaging avanzato
- Die attach eutettico in‑situ
- Assemblaggio MEMS e sensori
- WLP / eWLP
Caratteristiche principali
- Bonder di die / flip‑chip ad alta precisione
- Precisione di posizionamento: ±1,0 µm @ 3σ
- Capacità di bonding a temperature > 350°C con elevate forze
- Tempo di ciclo < 3 s
- Concetto macchina modulare per micro‑assemblaggio
- Bonding eutettico tramite diode‑laser, piastra riscaldante o stamping/dispensing di epossidici
- Capacità multi flip‑chip
- Mapping wafer
- Ispezione e misura post‑bond
- Controllo attivo della forza di bond
- Metodo di allineamento dinamico e riscaldamento del substrato con laser
Autoloading
- Fino a wafer da 12"
- Wafer da 300 mm
- Wafer substrato da 450 mm
Opzionale
- Polimerizzazione UV
- Dispensing
- Moduli aggiuntivi disponibili
Specifiche tecniche
- Precisione di posizionamento: ±1,0 µm @ 3σ
- Area di lavoro substrato: 550 x 600 mm
- Tempo di ciclo: < 3 s
- Controllo attivo della forza di bond
- Metodi di bonding eutettico: diode‑laser, piastra riscaldante, stamping e dispensing di epossidici
- Supporto per termocompressione (TCB) e processi TSV
- Multi flip‑chip
- Capacità di mapping wafer
- Ispezione / misura post‑bond
- Allineamento dinamico e riscaldamento del substrato con laser
- Capace di effettuare bonding a temperature superiori a 350°C
- *Le prestazioni dipendono dal package e dai materiali
Cataloghi
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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.