Macchina di evaporazione sotto vuoto per dispositivi elettronici LTE

per cannone ad elettroni

Panoramica
La LEYBOLD OPTICS LTE series è una soluzione di evaporazione long‑throw progettata per realizzare features strutturate a scala nanometrica e processi di metallizzazione con lift‑off. Studiata per applicazioni nei semiconduttori e per la R&D, garantisce deposizioni direzionali quasi perpendicolari con elevata uniformità.

Vantaggi principali

• Qualità di rivestimento ottimale: deposizioni ad alta precisione su wafer strutturati con ombreggiamento ridotto per pattern 3D avanzati.
• Servizio ed esperienza: supporto dal know‑how Leybold Optics / Bühler in tecnologia dei film sottili e rete di assistenza globale.
• Flessibilità: evaporazione di metalli e ossidi, gestione di diversi formati wafer e alti volumi di materiale; soluzione completamente personalizzabile.

Caratteristiche principali

• Geometria long‑throw avanzata con distanza sorgente‑cupola di 1,3 m per miglior copertura e fedeltà del pattern.
• Cupola e movimentazione adattabili fino a 6 × 150 mm (opzione 200 mm su richiesta).
• Combinazione di cannone a elettroni e sorgente plasma per Plasma‑Impulse Atomic Deposition (PIAD) — migliore adesione e controllo dello spessore.
• Sistema di deposizione perpendicolare di precisione progettato per angoli quasi perpendicolari e massima uniformità direzionale.

Processo di lift-off / metallizzazione

• Deposizione fisica da fase vapore (PVD)
• Rivestimento con fotoresist
• Deposizione di film sottili strutturati
• Lift‑off metallico

Applicazioni

• Produzione di semiconduttori
• Microelettronica e optoelettronica
• R&D e produzione pilota con esigenze di patterning nanometrico

Servizi e formazione
Installazione, supporto di processo, manutenzione e formazione operatori disponibili per integrare la serie LTE in linee di produzione e progetti di R&D.

Caratteristiche / specifiche tecniche

• Famiglia prodotto: LEYBOLD OPTICS LTE series
• Tecnologia: evaporazione long‑throw (PVD) con supporto cannone a elettroni + plasma (PIAD)
• Distanza sorgente‑cupola: 1,3 m
• Capacità substrati: fino a 6 × 150 mm (opzione 200 mm su richiesta)
• Dimensioni wafer supportate: 1–6 pollici standard; 8 e 12 pollici su richiesta
• Materiali: metalli (lift‑off) e ossidi; adatto ad alti volumi di materiale
• Geometria di deposizione: deposizione direzionale quasi perpendicolare per minimizzare l'ombreggiamento
• Applicazioni principali: produzione di semiconduttori, micro-/optoelettronica, R&D