Resina per semiconduttori GKR

ad alta resistenzafotosensibilead alta stabilità termica

Panoramica
Fotoresist a tono positivo per KrF che copre un'ampia gamma di applicazioni di patterning per semiconduttori. La serie GKR offre diversi gradi, da film ad alto spessore a formulazioni ad alta risoluzione, per soddisfare differenti requisiti di processo.

Gamma prodotti
Famiglie della serie GKR:

• Serie GKR-46xx/32xx (per implant)
• Serie GKR-53xx (per C/H)
• Serie GKR-63xx (per L/S)

Prodotti correlati

• EUV (13,5 nm) — Materiali EUV per imaging a tono negativo
• NIL (Nanoimprint Lithography) — Materiali NIL per processi di litografia dei semiconduttori
• ArF (193 nm) — Materiali per imaging positivo in dry e immersion, e imaging a tono negativo (NTI)
• i-Line, g-Line e Broadband — Fotoresist sensibili all'UV medio che coprono risoluzioni da <0,30 µm a >1,0 µm
• Negativo (a base di poliisoprene) — Serie di resist a tono negativo a base di poliisoprene
• e-Beam — Fotoresist positivi e negativi per varie applicazioni e‑beam

Caratteristiche / Specifiche tecniche

• Lunghezza d'onda: 248 nm (KrF)
• Tono: Positivo
• Famiglia principale: serie GKR
• Varianti disponibili: GKR-46xx/32xx (implant), GKR-53xx (C/H), GKR-63xx (L/S)
• La gamma include film ad alto spessore e formulazioni ad alta risoluzione per rispondere a diversi requisiti di processo