Transistor MOSFET SCT4013DR

di potenzadi commutazionein silicio

SCT4013DR è un MOSFET SiC che contribuisce alla miniaturizzazione e al basso consumo delle applicazioni. Si tratta di un prodotto di quarta generazione che raggiunge una bassa resistenza di accensione, leader del settore, senza sacrificare il tempo di resistenza al cortocircuito. Si tratta di un tipo di pacchetto a 4 pin con un terminale sorgente driver in grado di massimizzare le prestazioni di commutazione ad alta velocità, caratteristica dei MOSFET SiC. Vantaggi del MOSFET SiC di quarta generazione di ROHM Questa serie presenta una riduzione del 40% circa della resistenza di accensione e del 50% circa della perdita di commutazione rispetto ai prodotti convenzionali. La tensione di gate-source di 15 V facilita la progettazione delle applicazioni. Bassa resistenza di accensione Velocità di commutazione rapida Rapido recupero inverso Facile da mettere in parallelo Semplice da pilotare Piombatura senza Pb; conforme a RoHS