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- ROHM Semiconductor
Transistor MOSFET SCT2H12NZdi potenzadi commutazionein silicio
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Caratteristiche
- Tipo
- MOSFET
- Tecnologia
- di potenza, di commutazione
- Altre caratteristiche
- in silicio
- Corrente
3,7 A
- Tensione
1.700 V
Descrizione
MOSFET di potenza a canale N in SiC (carburo di silicio).
Bassa resistenza di accensione
Rapida velocità di commutazione
Lunga distanza di dispersione
Semplice da pilotare
Piombatura senza Pb; conforme a RoHS
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Cataloghi
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