Transistor MOSFET SCT2H12NZ
di potenzadi commutazionein silicio

Transistor MOSFET - SCT2H12NZ - ROHM Semiconductor - di potenza / di commutazione / in silicio
Transistor MOSFET - SCT2H12NZ - ROHM Semiconductor - di potenza / di commutazione / in silicio
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
 

Caratteristiche

Tipo
MOSFET
Tecnologia
di potenza, di commutazione
Altre caratteristiche
in silicio
Corrente

3,7 A

Tensione

1.700 V

Descrizione

MOSFET di potenza a canale N in SiC (carburo di silicio). Bassa resistenza di accensione Rapida velocità di commutazione Lunga distanza di dispersione Semplice da pilotare Piombatura senza Pb; conforme a RoHS

---

Altri prodotti ROHM Semiconductor

Silicon-carbide (SiC) Power Devices

* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.