Modulo per transistor MOSFET SCT2H12NY
di commutazionedi potenzain silicio

modulo per transistor MOSFET
modulo per transistor MOSFET
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
 

Caratteristiche

Tipo
MOSFET
Tecnologia
di commutazione, di potenza
Altre caratteristiche
in silicio
Corrente

4 A

Tensione

1.700 V

Descrizione

MOSFET di potenza a canale N in SiC (carburo di silicio). Bassa resistenza di accensione Rapida velocità di commutazione Lunga distanza di creepage senza cavo centrale Semplice da pilotare Piombatura senza Pb; conforme a RoHS

---

Altri prodotti ROHM Semiconductor

Silicon-carbide (SiC) Power Devices

* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.