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Modulo per transistor MOSFET SCT2H12NY
di commutazionedi potenzain silicio

Modulo per transistor MOSFET - SCT2H12NY - ROHM Semiconductor - di commutazione / di potenza / in silicio
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Caratteristiche

Tipo
MOSFET
Tecnologia
di commutazione, di potenza
Altre caratteristiche
in silicio
Corrente

4 A

Tensione

1.700 V

Descrizione

MOSFET di potenza a canale N in SiC (carburo di silicio). Bassa resistenza di accensione Rapida velocità di commutazione Lunga distanza di creepage senza cavo centrale Semplice da pilotare Piombatura senza Pb; conforme a RoHS

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