Imballaggio per linea telefonica

per applicazioni industrialiper l'industria elettronicaper attrezzature elettriche

Descrizione
Gli involucri optoelettronici ermetici forniscono un'interfaccia meccanica e termica sigillata per componenti fotonici e optoelettronici. Offriamo soluzioni complete dalla progettazione e prototipazione alla produzione pilota e di massa, con involucri metallici, HTCC e LTCC per soddisfare requisiti ottici, termici e ambientali in telecomunicazioni, LiDAR, imaging medico e elettronica di potenza.

Prodotti

• Involucri metallici
• Gli involucri metallici impiegano giunzioni vetro‑metallo e ceramica‑metallo per creare custodie sigillate che stabilizzano l'ambiente del chip e consentono un'efficace dissipazione del calore. Proteggono da umidità, cicli termici e ambienti corrosivi. Usi tipici: moduli radar per stazioni base, unità di contromisure elettroniche, strumenti di misura e controllo e alimentatori di segnale.

Vantaggi tecnici (Involucri metallici)

• Materiali compatibili: Kovar, acciaio al carbonio, acciaio inossidabile, tungsteno‑rame, leghe di alluminio
• Metodi di saldatura/tenuta supportati: saldatura a deposito di energia, saldatura a cucitura parallela, brasatura a stagno, sigillatura laser
• Resistenza di isolamento ≥ 5000 MΩ (misurata a 500 V DC)
• Tenuta all'aria (He): R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
• Resistenza alla nebbia salina: configurabile per test di corrosione 24 h / 48 h / 72 h
• Catena industriale completa da R&S e progettazione fino alla produzione; servizi personalizzabili

Modelli di prodotto

• Custodie per dispositivi di elaborazione del segnale
• Package per moduli di potenza
• Package per azionamenti motore e PWM
• Involucri ceramici per dispositivi discreti
• Involucri di replay
• Coperchi e tappi
• Package di potenza per montaggio superficiale

Involucri ceramici HTCC

• Ceramic Dual In-line Package (CDIP)
• Ceramic Flat Pack / Ceramic Quad Flat Pack (CFP / CQFP)
• Ceramic Quad Flat Non-leaded Package (CQFN)
• Ceramic Pin Grid Array (CPGA)
• Ceramic Small Outline Package (CSOP)
• Ceramic Leadless Chip Carrier (CLCC)

Vantaggi tecnici (HTCC)

• Processo di placcatura autocontrollato
• Progettazione e simulazione avanzate per ottimizzare struttura involucro/substrato, routing, comportamento termico e affidabilità
• Capacità a catena industriale completa con opzioni di personalizzazione

Involucri ceramici LTCC
LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) combina allumina e vetro con paste conduttrici ad alta conducibilità (oro, argento, rame) co‑fritte a ~850–900°C. Gli involucri LTCC sono adatti per RF, microonde e pacchettizzazione a onde millimetriche grazie alla bassa resistività dei conduttori e alla bassa costante dielettrica.

Vantaggi tecnici (LTCC)

• Larghezza/spacing minimo traccia: 100 µm
• Via/apertura minima: 100 µm
• Spacing minimo fori: 2,5 × aperture
• Fino a 40 strati funzionali
• Classi prodotto disponibili: alta frequenza a bassa perdita e alta resistenza

Sistema dei materiali
Prestazioni materiali di base

• Leghe ferro‑nichel‑cobalto | 4J29 | Densità 8,2 g/cm³ | CTE 5,3 ×10⁻⁶/°C (20–300°C) | TC 17 W/m·K
• Leghe nichel‑ferro | 4J42 | Densità 7,12 g/cm³ | CTE 4,8 ×10⁻⁶/°C | TC 13 W/m·K
• Acciaio al carbonio | 10# | Densità 7,8 g/cm³ | CTE 13,0 ×10⁻⁶/°C | TC 46 W/m·K
• OFHC (TU1) | TU1 | Densità 8,9 g/cm³ | CTE 17,6 ×10⁻⁶/°C | TC ≈ 390 W/m·K
• W/Cu | WCu85/15 | Densità 16,4 g/cm³ | CTE 7,2 ×10⁻⁶/°C | TC ≈ 180 W/m·K
• Acciaio inossidabile | 304 / 316 | Densità 7,93 / 7,98 g/cm³ | CTE 17,2 / 20 ×10⁻⁶/°C | TC 16 / 16,29 W/m·K

Prestazioni materiali dei pin

• Leghe ferro‑nichel‑cobalto | 4J29 | Resistività 48 µΩ·cm | CTE 5,3 ×10⁻⁶/°C
• Leghe nichel‑ferro | 4J50 | Resistività 43 µΩ·cm | CTE 9,5 ×10⁻⁶/°C
• Leghe con anima in Cu 52 | 4J50 | Resistività 12 µΩ·cm | CTE 11,5 ×10⁻⁶/°C
• Leghe di rame (Tul) | Tul | Resistività 1,7 µΩ·cm | CTE 17,6 ×10⁻⁶/°C

Applicazioni tipiche

• Package TO per laser ad alta potenza
• Sigillatura relè automotive
• Package per dispositivi discreti
• Sottostrati ceramici multilayer
• Package di potenza per montaggio superficiale
• Comunicazioni ottiche: sigillatura hermetica di transceiver 400G
• Elettronica automotive: packaging di emettitori LiDAR per guida autonoma
• Nuove energie: terminali isolati per sistemi di gestione batteria (BMS)

Specifiche tecniche

• Resistenza di isolamento: ≥ 5000 MΩ (misurata a 500 V DC)
• Tenuta all'aria (elio): R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
• Resistenza alla corrosione da nebbia salina: configurabile per test 24 h / 48 h / 72 h
• Materiali supportati per involucri metallici: Kovar, acciaio al carbonio, acciaio inossidabile, tungsteno‑rame, leghe di alluminio
• Metodi di saldatura/tenuta supportati: saldatura a deposito di energia, saldatura a cucitura parallela, brasatura a stagno, sigillatura laser
• Tipi HTCC: CDIP, CFP/CQFP, CQFN, CPGA, CSOP, CLCC
• Capacità LTCC: trace/spacing min 100 µm, via/aperture min 100 µm, spacing fori min 2,5×aperture, fino a 40 strati, opzioni HF bassa perdita e alta forza
• Esempi rappresentativi di conduttività termica: OFHC (TU1) ≈ 390 W/m·K; WCu85/15 ≈ 180 W/m·K