Passaparete a vuoto KF40

multipli passaggisingolo passaggioa chiusura ermetica

Panoramica
Il passaggio elettrico per vuoto BNC KF40 è progettato per introdurre segnali coassiali BNC attraverso una flangia ISO-KF40 all'interno di camere a vuoto, mantenendo la compatibilità con l'alto vuoto e l'integrità del segnale. È adatto per ricerca, processi per semiconduttori, elettronica del vuoto e strumenti analitici che richiedono una trasmissione stabile di segnali RF e a bassa frequenza.

Struttura principale e opzioni di configurazione

• Numero di conduttori / contatti
  • Canale singolo (1–2 contatti) — per un singolo segnale coassiale o linee di segnale standard
  • Più canali (es. 4 × BNC) — più interfacce BNC indipendenti su una singola flangia KF40 per sistemi multi-segnale integrati
• Metodo di adattamento di impedenza
  • Tipo adattato 50 Ω — per segnali RF e ad alta frequenza per ridurre le riflessioni
  • Tipo non adattato in impedenza — per segnali DC o a bassa frequenza, controllo e alimentazione
• Schermatura e messa a terra
  • Tipo con schermo collegato a terra — lo schermo coassiale è collegato elettricamente alla flangia per sopprimere le EMI
  • Tipo con schermo flottante — schermo isolato dalla flangia per sistemi sensibili a differenze di potenziale di terra
• Forma della posizione dell'interfaccia
  • Uscita su un lato (BNC lato aria) — lato aria con BNC standard; lato vuoto cablato con pin o terminali saldati
  • Uscita doppia (BNC su entrambi i lati) — interfacce BNC su lato aria e lato vuoto per collegamenti modulari

Parametri tecnici
– Tensione nominale: ≤ 500 V DC
– Corrente nominale: ≈ 3 A per contatto
– Tasso di perdita: ≤ 1 × 10⁻⁹ mbar·L/s
– Temperatura massima di baking: 150 °C (dipende dal progetto)
– Standard della flangia: ISO-KF40

Materiali e tecniche
– Flangia / corpo: acciaio inossidabile 304 / 304L
– Isolante: ceramica di allumina ad alta purezza
– Metodo di sigillatura: brasatura metallo-ceramica sotto vuoto

Applicazioni

• Sistemi ad alto e ultra alto vuoto
• Moduli di ingresso RF e segnali
• Apparecchiature per la lavorazione dei semiconduttori
• Strumenti analitici (spettrometri di massa, microscopi elettronici)
• Apparecchiature sperimentali e di ricerca in vuoto

Specifiche tecniche

• Tensione nominale: ≤ 500 V DC
• Corrente nominale: ≈ 3 A per singolo contatto
• Tasso di perdita: ≤ 1 × 10⁻⁹ mbar·L/s
• Temperatura massima di baking: 150 °C (dipende dal progetto)
• Standard della flangia: ISO-KF40
• Materiale flangia/corpo: acciaio inossidabile 304 / 304L
• Materiale isolante: ceramica di allumina ad alta purezza
• Metodo di sigillatura: brasatura metallo-ceramica sotto vuoto