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Corrente: 25 mA
Tensione: 13 V
... CARATTERISTICHE - Alimentazione DC-DC isolata incorporata; Alimentazione singola topologia di azionamento dell'alimentazione - Alta tensione di isolamento di 3750VAC - Frequenza del segnale d'ingresso fino a 20kHz - Circuito di guasto ...
Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensione: 4.500, 5.200 V
... diodi bipolari a transistor bipolari a gate isolati ad alta potenza (IGBT) in un alloggiamento modulare avanzato che garantisce una pressione uniforme del chip in pile di dispositivi multipli. Sebbene ...
Tensione: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Progettati utilizzando la tecnologia proprietaria thin-wafer XPT™ e un processo IGBT all'avanguardia, questi dispositivi presentano qualità quali una ridotta resistenza termica, una bassa corrente di coda, una bassa perdita ...
Corrente: 600 A
Tensione: 1.200 V
... I moduli IGBT di Littelfuse offrono l'elevata efficienza e la velocità di commutazione della moderna tecnologia IGBT in un formato robusto e flessibile. Utilizzati per applicazioni di controllo dell'alimentazione, ...
Corrente: 28 A
Tensione: 650 V
... L'IGBT a commutazione forte TRENCHSTOP™ 5 S5 in un contenitore TO-220 a ingombro ridotto è destinato ad applicazioni che prevedono la commutazione tra 10 kHz e 40 kHz per offrire un'elevata densità di corrente, un'alta ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. ...
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V
... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo ...
... I fotoaccoppiatori per autoveicoli (uscita a transistor, uscita IC) sono disponibili in piccoli pacchetti con elevata rigidità dielettrica (3,75KV) e funzionamento ad alta temperatura, fino a 135 °C. Ciò facilita la progettazione ...
Corrente: 50 A
Tensione: 650 V
... La serie RGWxx65C è un IGBT da 650 V con un diodo di barriera schottky SiC incorporato, che riduce la perdita di commutazione all'accensione. Si tratta di un prodotto conforme alla normativa AEC-Q101. Può essere utilizzato ...
ROHM Semiconductor
... permettono la combinazione di chip al silicio ottimizzati e si integrano con 3 blocchi di inverter principali: stadio di potenza (IGBT robusti a corto circuito e diodi a ruota libera), rete di pilotaggio (resistenze di ...
STMicroelectronics
SEMIKRON
Corrente: 10 A - 1.600 A
Tensione: 600 V - 1.700 V
... Greegoo offre moduli IGBT (insulated-gate bipolar transistor) in diverse topologie, correnti e tensioni nominali. Da 15A a 1600A in classi di tensione da 600V a 1700V, i moduli IGBT sono ...
Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V
... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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