Macchina di incisione per wafer sottovuoto IBT 800

per via seccaper dispositivi elettroniciper l'industria microelettronica

Panoramica
La serie LEYBOLD OPTICS IBT (es. IBT 800) è un sistema di lavorazione wafer a fascio ionico progettato per l'appianamento preciso, il trimming delle feature e la rimozione controllata di materiale su substrati per semiconduttori e RF. Integra movimentazione automatizzata, lavorazione a batch e doppia camera di carico per elevate rese produttive e flessibilità d'uso.

Principali benefici

• Competenza nel fascio ionico: tecnologia consolidata adattata ad applicazioni nel settore dei semiconduttori e RF.
• Alta produttività: movimentazione robotizzata, portastrati per lavorazione a batch e doppia camera di carico riducono i tempi di ciclo e aumentano il throughput.
• Metrologia integrata: opzione OTFP per misurazioni inline dello spessore di film sottili dielettrici prima e dopo il processo.

Applicazioni

• Connettività RF: trimming delle feature e rimozione di materiale per filtri SAW/BAW; regolazione di frequenza e trattamento superficiale di materiali piezoelettrici (LiNbO3, LiTaO3); trimming di ossidi (SiO2) per compensazione termica (TC‑SAW) e regolazione dello spessore di nitruri (Si3N4).
• Wafer bonding e planarizzazione: livellamento dei wafer in silicio e adattamento degli spessori dei film quando il CMP non è sufficiente per preparare i wafer al bonding wafer‑to‑wafer.

Caratteristiche principali

• Fonti ioniche e ISERM: supporta RF80 (80 mm) e RF40 (40 mm). ISERM determina la velocità di asportazione in pochi secondi senza interrompere il vuoto.
• Processo batch / portastrati: lavora lotti di wafer in cassette su rulli; portastrati disponibili per 2×12", 3×8", 4×6" o 8×4" (altre configurazioni su richiesta).
• Movimentazione robotizzata (ISO5): sistema compatibile con camere bianche per carico/scarico automatico tra portastrati e cassette, riducendo l'interazione operatore‑wafer.
• Metrologia integrata — OTFP: spettrometro λ 200–1100 nm; intervallo di misura spessore 50 nm – 50 µm per film semi‑trasparenti e strati semiconduttori.
• Doppia camera di carico: due slot verticali con sollevamento motorizzato per gestione parallela delle cassette e riduzione dei tempi operativi.

Temi chiave / Informazioni aggiuntive

• Center of Competence Leipzig: centro di sviluppo e supporto per tecnologie di ion beam figuring e trimming.
• Partnership strategiche e ecosistema prodotto: collaborazioni per integrazione in soluzioni RF e processi per semiconduttori.

Specifiche tecniche

• Modello: IBT 800 (IBT series)
• Fonti ioniche: RF80 (80 mm) e RF40 (40 mm)
• Velocità di rimozione indicativa: fino a 0,6 mm3/cm (RF80) e fino a 0,15 mm3/cm (RF40)
• ISERM: misurazione in‑situ della velocità di asportazione in pochi secondi senza interrompere il vuoto
• Metrologia integrata (OTFP): spettrometro λ 200–1100 nm; intervallo di spessore 50 nm – 50 µm
• Portastrati batch: fino a 2×12", 3×8", 4×6" o 8×4" per portastrati (altre configurazioni su richiesta)
• Automazione: sistema robotizzato compatibile ISO5
• Camera di carico: doppia camera verticale con sollevamento motorizzato per cassette