RVS20N65F/S/PN è un MOSFET di potenza ad alta tensione in modalità N-channel enhancement mode prodotto utilizzando la tecnologia DP MOS di Rongtech. Raggiunge basse perdite di conduzione e di commutazione. Porta i progettisti ai loro convertitori di potenza con alta efficienza, alta densità di potenza e comportamento termico superiore. Inoltre, è universale, vale a dire, adatto per topologie a commutazione rigida e morbida.
CARATTERISTICHE
♦20A, 650V, RosT,)=0.2i2@VGS=10V
♦New rivoluzionaria tecnologia ad alta tensione
♦Ultra basso costo del cancello
♦Periodic valutazione valanghe
♦Extreme Valutazione dv/dt
♦High capacità di corrente di picco
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