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MOSFET in silicio RM110N06PA

MOSFET in silicio - RM110N06PA - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Caratteristiche

Materiale
in silicio

Descrizione

Questo MOSFET di Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Tecnologia avanzata a 6 pollici per ottenere una resistenza statica di drain-to-source estremamente bassa RDS(on). Per questo motivo, questo MOSFET ha un basso consumo energetico durante l'applicazione e migliora l'affidabilità e la durata. Caratteristiche: VDS=60V, ID=110A Rdson≦10mΩ @VGS=10V (Typ:7.0mΩ) Area di funzionamento sicura estesa Basse capacità di trasferimento inverso 100% Test di energia a valanga a impulso singolo Applicazione -Applicazione di commutazione di potenza -Controllo motore DC - UPS

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Cataloghi

RM110N06PA
RM110N06PA
5 Pagine

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