- Prodotti
- MOSFET in silicio
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
MOSFET in silicio RM110N06PA
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
Caratteristiche
- Materiale
- in silicio
Descrizione
Questo MOSFET di Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Tecnologia avanzata a 6 pollici per ottenere una resistenza statica di drain-to-source estremamente bassa RDS(on). Per questo motivo, questo MOSFET ha un basso consumo energetico durante l'applicazione e migliora l'affidabilità e la durata.
Caratteristiche:
VDS=60V, ID=110A Rdson≦10mΩ @VGS=10V (Typ:7.0mΩ)
Area di funzionamento sicura estesa
Basse capacità di trasferimento inverso
100% Test di energia a valanga a impulso singolo
Applicazione
-Applicazione di commutazione di potenza
-Controllo motore DC
- UPS
---
Cataloghi
RM110N06PA
5 Pagine
Altri prodotti Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Mosfet power semi conductors
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.