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MOSFET in silicio RM20N10PA

MOSFET in silicio - RM20N10PA - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Caratteristiche

Materiale
in silicio

Descrizione

Questo MOSFET di Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Tecnologia avanzata a 6 pollici per ottenere una resistenza statica di drain-to-source estremamente bassa RDS(on). Per questo motivo, questo MOSFET ha un basso consumo energetico durante l'applicazione e migliora l'affidabilità e la durata. Caratteristiche generali -VDS=100V, ID=20A, Rdson≦70mΩ @VGS=10V (Typ:58mΩ) -Area operativa sicura estesa -Basse capacità di trasferimento inverso -Test dell'energia di valanga a impulso singolo al 100% Applicazione -Applicazione di commutazione di potenza -Controllo motore DC - UPS

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Cataloghi

RM20N10PA
RM20N10PA
5 Pagine

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