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MOSFET in silicio RM40N10PK

MOSFET in silicio - RM40N10PK - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Caratteristiche

Materiale
in silicio

Descrizione

Questo MOSFET di Rongtech Industry (ShangHai) Inc. è dotato di una tecnologia avanzata a 6 pollici che consente di ottenere una resistenza statica di drain-to-source RDS(on) estremamente bassa. Per questo motivo, questo MOSFET ha un basso consumo energetico durante l'applicazione e migliora l'affidabilità e la durata. Caratteristiche: VDS=100V, ID=40A Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ) Area di funzionamento sicura estesa Basse capacità di trasferimento inverso 100% Test di energia a valanga a impulso singolo Applicazione -Applicazione di commutazione di potenza -Controllo motore DC - UPS

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Cataloghi

RM40N10PK
RM40N10PK
5 Pagine

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