MOSFET RVF4N90F/MJ
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
Descrizione
DESCRIZIONE GENERALE
RVF4N90F/MJ è un transistor ad effetto di campo MOS di potenza in modalità di miglioramento dei canali N, prodotto con la tecnologia proprietaria Rongtec F-Cell™ VDMOS. La cella a banda planare migliorata e il terminale ad anello di protezione migliorato sono stati studiati appositamente per ridurre al minimo la resistenza allo stato acceso, fornire prestazioni di commutazione superiori e sopportare impulsi ad alta energia in modalità valanga e commutazione.
Questi dispositivi sono ampiamente utilizzati in alimentatori AC-DC, convertitori DC-DC e driver per motori PWM H-bridge.
CARATTERISTICHE
♦Low gate charge
♦Low Crss
♦Fast commutazione
♦Improved dv/dtcapability
---
Cataloghi
Nessun catalogo è disponibile per questo prodotto.
Vedi tutti i cataloghi di Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,Altri prodotti Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Mosfet power semi conductors
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.