Questo MOSFET di Rongtech Industry (ShangHai) Inc. Tecnologia avanzata a 6 pollici per ottenere una resistenza statica di drain-to-source estremamente bassa RDS(on). Per questo motivo, questo MOSFET ha un basso consumo energetico durante l'applicazione e migliora l'affidabilità e la durata.
Caratteristiche:
VDS=100V, ID=60A Rdson≦23mΩ @VGS=10V (Typ:18.0mΩ)
Area operativa sicura estesa
Basse capacità di trasferimento inverso
100% Test di energia a valanga a impulso singolo
Applicazione
-Applicazione di commutazione di potenza
-Controllo motore DC
- UPS
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