MOSFET RVF3878PN
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Descrizione
RVF3878PN è un transistor ad effetto di campo MOS di potenza in modalità di miglioramento dei canali N, prodotto utilizzando la tecnologia proprietaria Rongtec F-Cell™ VDMOS con struttura proprietaria F-Cell™. La cella a banda planare migliorata e il terminale ad anello di protezione migliorato sono stati studiati appositamente per ridurre al minimo la resistenza allo stato acceso, fornire prestazioni di commutazione superiori e sopportare impulsi ad alta energia in modalità valanga e commutazione. Questi dispositivi sono ampiamente utilizzati in alimentatori AC-DC, convertitori DC-DC e driver per motori PWM H-bridge.
CARATTERISTICHE
♦Low gate charge
♦Low Crss
♦Fast commutazione
♦Improved capacità dv/dt
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Mosfet power semi conductors
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