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MOSFET in silicio RM45N06PA

MOSFET in silicio - RM45N06PA - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Caratteristiche

Materiale
in silicio

Descrizione

Questo MOSFET di Rongtech Industry (ShangHai) Inc. La tecnologia avanzata a 6 pollici consente di ottenere una resistenza statica di drain-to-source estremamente bassa RDS(on). Per questo motivo, questo MOSFET ha un basso consumo energetico durante l'applicazione e migliora l'affidabilità e la durata. Caratteristiche: VDS=60V, ID=45A Rdson≦25mΩ @VGS=10V (Typ:20mΩ) Area di funzionamento sicura estesa Basse capacità di trasferimento inverso 100% Test di energia a valanga a impulso singolo Applicazione -Applicazione di commutazione di potenza -Controllo motore DC - UPS

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Cataloghi

RM45N06PA
RM45N06PA
5 Pagine
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.