Transistori di commutazione ROHM Semiconductor

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transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V

... da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alle applicazioni di gestione delle batterie, di commutazione dei carichi e di protezione dall'inversione di polarità. Il vantaggio principale di ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor transistor bipolare a gate isolato
transistor transistor bipolare a gate isolato
BID series

Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V

... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo ...

transistor bipolare
transistor bipolare
BC337-25

Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V

... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO ...

modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
NXH800H120L7QDSG

Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V

... NXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, ...

Altri prodotti
Fairchild Semiconductor
transistor IGBT
transistor IGBT
5SN series

Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

... combinate con ottime prestazioni di commutazione graduale e un’area operativa di sicurezza (SOA) che batte ogni record. I nuovi moduli IGBT 62Pak e LoPak di media potenza a commutazione ...

modulo per transistor MOSFET
modulo per transistor MOSFET
RH6G040BG

Corrente: 95 A
Tensione: 40 V

... RH6G040BG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione e pacchetto ad alta potenza, adatto alla commutazione. Bassa resistenza di accensione Pacchetto ad alta potenza con stampo piccolo (HSMT8) Placcatura ...

Altri prodotti
ROHM Semiconductor
transistor IGBT
transistor IGBT
STGB8NC60KDT4

Corrente: 8 A
Tensione: 600 V

... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta ...

Altri prodotti
STMicroelectronics
transistor NPN
transistor NPN
CMKT3920

Tensione: 50, 60, 7 V

... Il CMKT3920 di Central Semiconductor (due transistor NPN singoli) è una combinazione duale in un contenitore SOT-363 ULTRAmini™ di minimo ingombro, progettato per applicazioni di commutazione e amplificatori ...

transistor NPN
transistor NPN
MM series

Corrente: 100 mA
Tensione: 60, 50 V

... Applicazioni tipiche Controlli digitali Commutazione, elaborazione del segnale Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101) Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 x) Caratteristiche Risparmio di costi ...

Altri prodotti
Diotec
transistor bipolare
transistor bipolare
DMB series

Tensione: 20, 50 V

... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse ...

Altri prodotti
Diodes Incorporated
modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
RT200TL65A8H-S09

... Caratteristiche: - IGBT a gate di trincea con arresto di campo - Corto circuito nominale>10ps - - Bassa tensione di saturazione - Bassa perdita di commutazione - 100% RBSOA testato (2*lc) - Bassa ...

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