MOSFET in carburo di silicio

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MOSFET SiC
MOSFET SiC
SCT4090KTWHR

... Panoramica
Il SCT4090KTWHR è un MOSFET SiC nel package TSC3PAK per montaggio superficiale con dissipazione del calore sulla parte superiore. Il TSC3PAK offre prestazioni di dissipazione paragonabili ai package ...

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Questo MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale dispone di una struttura di dissipazione sul lato superiore, con la superficie termica posta sulla parte superiore del package; consente ...

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MOSFET SiC
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MOSFET SiC
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Questo dispositivo è un MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale. La struttura di dissipazione termica sul lato superiore posiziona la superficie di raffreddamento sulla parte superiore ...

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... Panoramica
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... Panoramica del prodotto
Dispositivo MOSFET in carburo di silicio (SiC) 1200 V, 31 A, modello SCT4050KTW, in package TSC3PAK per montaggio superficiale. Il package adotta dissipazione termica ...

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... articolo (pagina del prodotto): SCT4018KTWHRTCR (indicato anche come SCT4018KTWHR)

  • Tipo di dispositivo: MOSFET al carburo di silicio (SiC)
  • Confezione: TSC3PAK (montaggio superficiale,
  • ...

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