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MOSFET in carburo di silicio
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Diventa espositore{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Panoramica
Il SCT4090KTWHR è un
MOSFET
SiC nel package TSC3PAK per montaggio superficiale con dissipazione del calore sulla parte superiore. Il TSC3PAK offre prestazioni di dissipazione paragonabili ai package ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Questo
MOSFET
SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale dispone di una struttura di dissipazione sul lato superiore, con la superficie termica posta sulla parte superiore del package; consente ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Il
MOSFET
SiC SCT4062KTWHR in package TSC3PAK è progettato per applicazioni di conversione e commutazione di potenza ad alta tensione. Offre bassa resistenza di conduzione e commutazione rapida per ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Questo
MOSFET
SiC è fornito nel package TSC3PAK per montaggio superficiale, con superficie di dissipazione termica superiore e una scanalatura proprietaria che garantisce una distanza di fuga di 6,66 ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Questo dispositivo è un
MOSFET
SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale. La struttura di dissipazione termica sul lato superiore posiziona la superficie di raffreddamento sulla parte superiore ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Questo
MOSFET
SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale presenta raffreddamento superiore, offrendo prestazioni termiche comparabili ai package through-hole consentendo il montaggio SMD automatizzato. ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Questo
MOSFET
SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale offre bassa resistenza ON e commutazione ad alta velocità per la conversione di potenza in alta tensione. Il package adotta una struttura ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Dispositivo
SiC
MOSFET in package TSC3PAK SMD con struttura di dissipazione termica sulla parte superiore. Il package posiziona la superficie di dissipazione sul lato superiore, ottenendo prestazioni ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica del prodotto
Dispositivo
MOSFET in
carburo di
silicio (SiC) 1200 V, 31 A, modello SCT4050KTW, in package TSC3PAK per montaggio superficiale. Il package adotta dissipazione termica ...
ROHM Semiconductor
... articolo (pagina del prodotto): SCT4018KTWHRTCR (indicato anche come SCT4018KTWHR)
ROHM Semiconductor
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