MOSFET SiC SCT4062KTWHR

per applicazioni automobilistichead alta velocitàin carburo di silicio

Panoramica
Il MOSFET SiC SCT4062KTWHR in package TSC3PAK è progettato per applicazioni di conversione e commutazione di potenza ad alta tensione. Offre bassa resistenza di conduzione e commutazione rapida per ridurre le perdite di commutazione, garantendo al contempo affidabilità per ambienti automotive e industriali.

Package e vantaggi principali
TSC3PAK: package SMD con dissipazione termica sul lato superiore, compatibile con montaggio automatizzato e prestazioni termiche paragonabili ai package through‑hole tipo TO‑247. La scanalatura proprietaria ROHM assicura una distanza di fuga minima di 6,66 mm, supportando 1200 V picco AC in ambienti Pollution Degree 2.

Caratteristiche

• Qualificato AEC‑Q101 (grado automotive)
• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza Drain‑Source in conduzione (RDS(on) tip. 62 mΩ)
• Commutazione rapida e recupero inverso veloce
• Facile funzionamento in parallelo e guida semplice
• Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS

Esempi di applicazione

• Automotive: caricabatterie a bordo (OBC), compressori elettrici
• Inverter fotovoltaici (PV) e convertitori di energia
• Alimentatori per server e telecomunicazioni

Contesto di sviluppo
Progettato per rispondere alla domanda di maggiore efficienza e montaggio automatizzato, questo MOSFET SiC in package SMD offre prestazioni termiche paragonabili ai package through‑hole, riducendo i costi di assemblaggio e mantenendo elevata affidabilità per sistemi xEV e industriali.

Specifiche tecniche

• Part number: SCT4062KTWHRTCR
• Nome modello: SCT4062KTWHR
• Package: TSC3PAK (SMD, dissipazione superiore)
• Tipo di confezionamento: Taping
• Quantità unità / Quantità minima per package: 600
• RoHS: Yes
• MSL: 1
• Tensione Drain‑Source (V): 1200 V
• Resistenza Drain‑Source in conduzione (Typ.) (mΩ): 62 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (A): 25 A
• Potenza dissipabile totale (W): 106 W
• Temperatura giunzione (Max.) (°C): 175 °C
• Temperatura di stoccaggio (°C): -40 a 175 °C
• Dimensioni package (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Standard comune: AEC‑Q101 (Automotive Grade)