PanoramicaIl SCT4036DTW è un MOSFET SiC in package SMD TSC3PAK con dissipazione del calore nella parte superiore. La superficie di dissipazione posta sulla parte superiore del package consente il montaggio automatico SMD garantendo prestazioni termiche comparabili ad alcuni package through-hole. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM assicura una distanza di percorso superficiale (creepage) di 6,66 mm, supportando picchi AC fino a 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2 per un design di isolamento HV affidabile. Integra la tecnologia SiC MOSFET di 4ª generazione di ROHM con basso Rds(on) e commutazione ad alta velocità per ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza di conversione. Prodotto STANDARD GRADE; non raccomandato per applicazioni automobilistiche critiche per la sicurezza.
Caratteristiche principali- Ampia distanza di creepage: min. 6,66 mm (supporta picco AC 1200 V, grado di inquinamento 2)
- Basso Rds(on): Typ. 36 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
- Commutazione ad alta velocità e rapida recovery inversa per ridurre le perdite di commutazione
- Facile parallelizzazione per aumentare la capacità di corrente
- Caratteristiche di pilotaggio del gate semplici per una integrazione diretta
- Placcatura dei terminali senza Pb; conforme RoHS
Package e montaggioPackage TSC3PAK per montaggio superficiale con dissipazione superiore (faccia di calore in cima al package). Consente il montaggio SMD automatico mantenendo prestazioni termiche comparabili ad alcuni package through-hole. La scanalatura proprietaria assicura la distanza di creepage richiesta per il design di isolamento in ambienti di grado di inquinamento 2.
Applicazioni- Caricabatterie on-board e compressori elettrici per xEVs (STANDARD GRADE; non raccomandato per applicazioni automobilistiche critiche)
- Inverter fotovoltaici
- Alimentatori per server ad alte prestazioni e apparecchiature industriali di conversione di potenza
Caratteristiche / specifiche tecniche- Part Number: SCT4036DTWTCR
- Modello: SCT4036DTW
- Brand: ROHM
- Tensione Drain‑Source (Vds): 750 V
- Resistenza on‑state (Typ.) Rds(on): 36 mΩ
- Generazione: 4th Gen (Trench)
- Corrente Drain (Id): 40 A
- Potenza dissipabile totale: 128 W
- Temperatura giunzione (Max.): 175 °C
- Temperatura di stoccaggio: -40 °C a 175 °C
- Package: TSC3PAK (14,0 x 18,58 mm, t = 3,625 mm)
- Imballo: Taping; Quantità per unità: 600; Quantità minima per package: 600
- RoHS: Yes; MSL: 1