MOSFET ad alta velocità SCT4018KTW

in carburo di silicioresistenza alta tensioneSiC

Panoramica
Prodotto: MOSFET in Carburo di Silicio (SiC) in package TSC3PAK con struttura di dissipazione termica sulla parte superiore. La superficie di dissipazione superiore fornisce prestazioni termiche comparabili ai package through-hole tradizionali, consentendo al contempo il montaggio automatico su circuito stampato. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM garantisce una distanza di fuga ampia (min. 6,66 mm), supportando picchi AC di 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2. Il dispositivo offre bassa resistenza di conduzione e commutazione ad alta velocità, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza nella conversione di potenza.

Caratteristiche

• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza drain‑source in conduzione (tip. 18 mΩ)
• Alta velocità di commutazione e recupero inverso rapido
• Semplice da collegare in parallelo e facile pilotaggio
• Rivestimento dei terminali senza piombo; conforme RoHS

Package / Immagini
Package TSC3PAK (dissipazione superiore); dimensioni package: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625).

Applicazioni (esempi)

• Caricabatterie di bordo e compressori elettrici per xEV
• Inverter fotovoltaici
• Alimentatori per server

Informazioni sul componente
Part Number | SCT4018KTWTCR
Stato | Raccomandato
Package | TSC3PAK
Tipo di confezionamento | Taping
Quantità per unità | 600
Quantità minima per confezione | 600
RoHS | Yes
MSL | 1

Specifiche tecniche

• Tensione drain‑source (V): 1200
• Resistenza drain‑source in conduzione (Tip.) (mΩ): 18
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (A): 79
• Potenza dissipabile totale (W): 294
• Temperatura di giunzione (Max.) (°C): 175
• Temperatura di stoccaggio (Min./Max.) (°C): -40 / 175
• Dimensioni package (mm): 14,0 x 18,58 (t = 3,625)