MOSFET resistenza alta tensione SCT4018KTW

ad alta velocitàSiCper applicazioni automobilistiche

Panoramica
SiC MOSFET di 4a generazione (struttura trench) in package SMD TSC3PAK con dissipazione termica sul lato superiore. La superficie di dissipazione posta nella parte superiore consente il montaggio automatico SMT mantenendo prestazioni termiche paragonabili ai package through‑hole. Una struttura a scanalatura proprietaria garantisce una distanza di fuga di 6,66 mm, permettendo di sostenere picchi AC di 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2. Il dispositivo offre basso RDS(on) e commutazione rapida per ridurre le perdite in applicazioni di conversione di potenza.

Riepilogo del prodotto
1200 V, 79 A, MOSFET SiC SMD 9 pin (Trench), TSC3PAK, basso RDS(on)

Dettagli della parte
Part Number | SCT4018KTWTCR
Stato | Recommended
Package | TSC3PAK (dissipazione superiore)
Tipo di confezionamento | Taping
Quantità per unità | 600
Quantità minima per confezione | 600
RoHS | Yes
MSL | 1

Caratteristiche

• Grande distanza di fuga: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza in conduzione (basso RDS(on))
• Alta velocità di commutazione
• Recupero inverso veloce
• Facile da mettere in parallelo per correnti maggiori
• Semplici requisiti di pilotaggio gate
• Placcatura dei piedini senza piombo; conforme RoHS

Contesto di sviluppo
Il package TSC3PAK posiziona la superficie di dissipazione in alto, permettendo elevate prestazioni termiche nel formato SMD e supportando il montaggio automatico. La struttura a scanalatura garantisce 6,66 mm di distanza di fuga per una progettazione di isolamento sicura con picchi AC di 1200 V in grado di inquinamento 2. In combinazione con la tecnologia SiC trench di 4a generazione di ROHM, il dispositivo riduce RDS(on) e le perdite di commutazione migliorando l'efficienza di conversione.

Esempi di applicazione

• Caricabatterie di bordo (xEV OBC)
• Compressori elettrici per xEV
• Inverter fotovoltaici (PV)
• Alimentatori per server e sistemi di potenza industriali

Specifiche tecniche

• Tensione drain‑source (V): 1200
• Resistenza drain‑source in conduzione (Typ.) (mΩ): 18
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (A): 79
• Potenza dissipabile totale (W): 294
• Temperatura giunzione (Max.) (°C): 175
• Temperatura di stoccaggio (Min.) (°C): -40
• Temperatura di stoccaggio (Max.) (°C): 175
• Dimensioni package (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Package: TSC3PAK (dissipazione superiore)
• Confezionamento: Taping; Quantità unità: 600; Quantità minima: 600