1. Prodotti
  2. MOSFET
  3. ROHM Semiconductor

MOSFET in carburo di silicio SCT4036KTW
resistenza alta tensionead alta velocitàSiC

MOSFET in carburo di silicio - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - resistenza alta tensione / ad alta velocità / SiC
MOSFET in carburo di silicio - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - resistenza alta tensione / ad alta velocità / SiC
MOSFET in carburo di silicio - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - resistenza alta tensione / ad alta velocità / SiC - immagine - 2
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti

Caratteristiche

Specificazioni
in carburo di silicio, resistenza alta tensione, ad alta velocità, SiC
Materiale
in carburo di silicio, SiC, in semiconduttore

Descrizione

Panoramica
Questo MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale offre bassa resistenza ON e commutazione ad alta velocità per la conversione di potenza in alta tensione. Il package adotta una struttura di dispersione del calore nella parte superiore per consentire il montaggio automatico pur garantendo prestazioni termiche comparabili ai package tradizionali ad inserto (TO-247-4L). Una struttura a scanalatura assicura una distanza di perdita di 6,66 mm, consentendo di gestire un picco AC di 1200 V in ambienti con grado di inquinamento 2.

Package / Progetto termico
Package TSC3PAK per montaggio superficiale con dispersione termica superiore; struttura a scanalatura che garantisce 6,66 mm di distanza di perdita; dimensioni package 14,00 × 18,58 × 3,50 mm; prestazioni termiche adeguate per applicazioni ad alta potenza con assemblaggio automatizzato.

Applicazioni
  • Caricabatterie di bordo (OBC) e compressori elettrici per xEV
  • Inverter fotovoltaici (PV) e convertitori energetici
  • Alimentatori per server e moduli di potenza industriale

Caratteristiche
  • Ampia distanza di perdita: min. 6,66 mm
  • Bassa resistenza drain‑source in conduzione (Tip. 36 mΩ)
  • Commutazione rapida e riduzione delle perdite di commutazione
  • Recupero inverso rapido
  • Facile parallelo per correnti maggiori
  • Guida del gate semplice
  • Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS

Specifiche
  • Numero di parte: SCT4036KTWTCR
  • Modello: SCT4036KTW
  • Stato: Raccomandato
  • Package: TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
  • Tipo di imballo: Taping
  • Quantità per unità: 600
  • Quantità minima per confezione: 600
  • RoHS: Yes
  • MSL: 1
  • Tensione drain‑source (V): 1200
  • Resistenza drain‑source in conduzione (Tip.) (mΩ): 36
  • Generazione: 4th Gen (Trench)
  • Corrente di drain (A): 41
  • Dispersione totale di potenza (W): 163
  • Temperatura giunzione (Max.) (°C): 175
  • Temperatura di stoccaggio (Min./Max.) (°C): -40 / 175
  • Dimensioni package (mm): 14,0 × 18,58 (t = 3,625)

Avvertenza
Questo prodotto è di GRADE STANDARD e non è raccomandato per applicazioni automobilistiche che richiedono qualificazione automotive.

Cataloghi

Nessun catalogo è disponibile per questo prodotto.

Vedi tutti i cataloghi di ROHM Semiconductor

Fiere

Fiere a cui parteciperà questo venditore

electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov 2026 Munich (Germania) Hall C3 - Stand 520

  • Maggiori informazioni

    Altri prodotti ROHM Semiconductor

    Silicon-carbide (SiC) Power Devices

    * I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.
    Su DirectIndustry
    DirectIndustry è un marketplace che offre agli operatori B2B un'esperienza completa, dal sourcing del prodotto all'acquisto. DirectIndustry è un'entità di VirtualExpo Group.