MOSFET per applicazioni automobilistiche SCT4026DTW

in carburo di silicioSiCad alta velocità

Panoramica
Il SCT4026DTWTCR è un MOSFET SiC Trench di 4ª generazione in confezione TSC3PAK con struttura di dissipazione termica superiora. Il package posiziona la superficie di dissipazione sul lato superiore, consentendo il montaggio SMT automatizzato e offrendo prestazioni termiche comparabili ai package through‑hole. Una scanalatura proprietaria assicura una distanza di fuga minima di 6,66 mm, supportando picchi di tensione AC fino a 1200 V in ambienti di inquinamento grado 2. Il dispositivo presenta bassa RDS(on) e commutazione veloce per ridurre le perdite di commutazione nelle applicazioni di conversione di potenza.

Applicazioni

• Caricabatterie di bordo (OBC) e compressori elettrici per xEV
• Inverter fotovoltaici (PV)
• Alimentatori per server e data center

Package / Imballo
Numero parte | SCT4026DTWTCR
Stato | Recommended
Package | TSC3PAK (dissipazione superiore)
Tipo di imballo | Taping
Quantità per unità | 600
Quantità minima | 600
RoHS | Sì
MSL | 1

Caratteristiche principali

• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm (struttura a scanalatura)
• Dissipazione superiore (TSC3PAK) per montaggio SMT automatizzato con prestazioni termiche paragonabili ai package through‑hole
• Bassa resistenza ON (RDS(on) typ. 26 mΩ)
• Commutazione ad alta velocità e rapida recovery inversa
• Facile parallelizzazione per aumentare la capacità di corrente
• Semplice pilotaggio di gate
• Placcatura senza piombo; conforme RoHS

Note aggiuntive
La dissipazione superiore e il design a scanalatura consentono margini d'isolamento più sicuri e maggiore affidabilità per applicazioni ad alta tensione, riducendo i costi di assemblaggio grazie ai processi SMT automatizzati. Prodotto di grado standard; verificare l'idoneità per applicazioni critiche o requisiti automobilistici prima dell'uso.

Specifiche tecniche

• Numero parte: SCT4026DTWTCR
• Tensione drain‑source (VDS): 750 V
• Resistenza drain‑source in conduzione (RDS(on), Typ.): 26 mΩ
• Corrente drain (ID): 54 A
• Potenza dissipabile totale: 163 W
• Temperatura giunzione (Max.): 175 °C
• Temperatura di stoccaggio: -40 °C a 175 °C
• Package: TSC3PAK (dissipazione superiore)
• Dimensioni package: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
• Distanza di fuga: 6.66 mm (supporta 1200 V AC picco in inquinamento grado 2)
• Generazione: 4th Gen (Trench) SiC MOSFET
• Quantità per nastro: 600
• Quantità minima per confezione: 600
• RoHS: Sì
• MSL: 1