MOSFET resistenza alta tensione SCT4027KTWHR

ad alta velocitàin carburo di silicioper applicazioni automobilistiche

Panoramica
Questo MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale presenta raffreddamento superiore, offrendo prestazioni termiche comparabili ai package through-hole consentendo il montaggio SMD automatizzato. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM garantisce una distanza di percorso minima di 6,66 mm, supportando 1200 V di picco AC in ambienti di grado di inquinamento 2. Il dispositivo offre bassa resistenza di conduzione e commutazione rapida per ridurre le perdite nella conversione di potenza.

Contesto di sviluppo
Con l'espansione del SiC nei circuiti di conversione di potenza (es. caricabatterie di bordo e compressori elettrici) e nei dispositivi industriali che richiedono alta efficienza, è richiesta la disponibilità di dispositivi SiC SMD compatibili con il montaggio automatizzato e con prestazioni termiche paragonabili ai package through-hole. Il SCT4027KTWHR risponde a questa esigenza combinando TSC3PAK con raffreddamento superiore e la tecnologia Trench di 4ª generazione di ROHM.

Esempi di applicazione

• Automotive: caricabatterie di bordo (OBC), compressori elettrici
• Inverter fotovoltaici
• Alimentatori per server e sistemi ad alte prestazioni

Caratteristiche principali

• Qualificato AEC-Q101 (grado automotive)
• Ampia distanza di percorso: min. 6,66 mm (scanalatura ROHM)
• Bassa Rds(on) (typ. 27 mΩ)
• Commutazione rapida e recupero inverso rapido
• Facile parallelizzazione e pilotaggio semplice
• Placcatura senza Pb; conforme RoHS

Specifiche tecniche

• Numero di parte: SCT4027KTWHRTCR
• Stato: Raccomandato
• Package: TSC3PAK (raffreddamento superiore)
• Imballaggio: Taping; Quantità unità: 600
• Vds: 1200 V
• Rds(on) typ.: 27 mΩ
• Corrente di drain: 54 A
• Potenza dissipabile totale: 208 W
• Temperatura giunzione (max): 175 °C
• Temperatura di stoccaggio: -40 a 175 °C
• Dimensioni package: 14.0 × 18.58 mm (t = 3.625)
• Standard: AEC-Q101, RoHS; MSL = 1