MOSFET SiC SCT4050KTWHR
per applicazioni automobilisticheresistenza alta tensionead alta velocità

MOSFET SiC - SCT4050KTWHR - ROHM Semiconductor - per applicazioni automobilistiche / resistenza alta tensione / ad alta velocità
MOSFET SiC - SCT4050KTWHR - ROHM Semiconductor - per applicazioni automobilistiche / resistenza alta tensione / ad alta velocità
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Caratteristiche

Specificazioni
SiC, per applicazioni automobilistiche, resistenza alta tensione, ad alta velocità
Materiale
in carburo di silicio

Descrizione

Panoramica
Questo dispositivo è un MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale. La struttura di dissipazione termica sul lato superiore posiziona la superficie di raffreddamento sulla parte superiore del package, consentendo il montaggio automatico e ottenendo una dissipazione termica confrontabile con i package through-hole. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM garantisce una distanza di percorrenza (creepage) di 6,66 mm, supportando una tensione di picco AC di 1200 V in ambiente Pollution Degree 2. Il dispositivo utilizza la tecnologia SiC MOSFET di 4ª generazione (Trench) di ROHM per ottenere bassa Rds(on) e commutazione ad alta velocità, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza nei circuiti di conversione di potenza.

Caratteristiche
  • Qualificato secondo AEC-Q101 (grado automotive)
  • Ampia distanza di creepage: min. 6,66 mm
  • Bassa resistenza drain-source in conduzione (Rds(on))
  • Elevata velocità di commutazione e basse perdite di commutazione
  • Recupero inverso rapido
  • Facile parallelizzazione per aumentare la capacità di corrente
  • Semplici requisiti di pilotaggio
  • Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS


Applicazioni
  • Sistemi automotive: onboard chargers (OBC), compressori elettrici
  • Inverter fotovoltaici
  • Alimentatori per server e telecom ad alte prestazioni


Specifiche tecniche
  • Part Number (variante pagina): SCT4050KTWHRTCR
  • Nome modello: SCT4050KTWHR
  • Package: TSC3PAK (dissipazione termica sul lato superiore)
  • Tensione drain-source (Vdss): 1200 V
  • Corrente di drain (Id): 31 A
  • Resistenza drain-source in stato ON (Typ.) (Rds(on)): 50 mΩ
  • Generazione: 4th Gen (Trench)
  • Potenza dissipabile totale: 128 W
  • Temperatura di giunzione (Tj max): 175 °C
  • Temperatura di stoccaggio: -40 °C a 175 °C
  • Dimensioni package: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
  • Tipo di imballo: Taping
  • Quantità per unità / Quantità minima del pacchetto: 600
  • RoHS: Yes
  • MSL: 1
  • Standard comune: AEC-Q101 (Automotive Grade)
  • Stato: Recommended


Imballaggio e note
Il TSC3PAK è progettato per dissipazione sul lato superiore, permettendo l'assemblaggio automatico con prestazioni termiche paragonabili ai package through-hole. ROHM fornisce datasheet e note applicative per supportare la progettazione termica e l'integrazione di sistema.

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