PanoramicaIl SCT4065DTWHR è un MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale, progettato per conversione di potenza ad alta tensione. Il package utilizza una struttura di dissipazione termica superiore che posiziona la superficie di raffreddamento sulla parte superiore del contenitore, consentendo il montaggio automatico e garantendo prestazioni termiche paragonabili ai package through-hole. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM assicura una distanza di camminamento di 6,66 mm, supportando picchi di tensione AC fino a 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2. Il dispositivo offre bassa resistenza RDS(on) e commutazione rapida per ridurre le perdite di commutazione e migliorare efficienza e affidabilità nelle applicazioni di potenza.
Caratteristiche principali- Qualificato AEC-Q101 (grado automotive)
- Ampia distanza di camminamento: min. 6,66 mm (supporta 1200 V AC picco in Pollution Degree 2)
- Bassa resistenza drain-source in conduzione (RDS(on) tip. 65 mΩ)
- Commutazione rapida e riduzione delle perdite di commutazione
- Recupero inverso rapido
- Facile parallelizzazione per aumentare la capacità di corrente
- Semplici requisiti di pilotaggio del gate
- Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS
Package e aspetti meccanici- Package TSC3PAK SMD con dissipazione superiore che fornisce prestazioni termiche comparabili ai package through-hole consentendo l'assemblaggio automatico
- Struttura a scanalatura ROHM che assicura la distanza di camminamento (6,66 mm) per un design di isolamento robusto nelle applicazioni ad alta tensione
- Dimensioni del package ottimizzate per elevate prestazioni termiche e layout SMD compatti (14,0 × 18,58 mm, spessore ≈ 3,625 mm)
Applicazioni- Automotive: onboard chargers (OBC), compressori elettrici
- Inverter fotovoltaici
- Alimentatori ad alte prestazioni per server e telecomunicazioni
Specifiche tecniche- Part Number: SCT4065DTWHRTCR
- Modello: SCT4065DTWHR
- Brand: ROHM
- Tensione Drain-Source (Vds): 750 V
- Resistenza ON Drain-Source (Tip.): 65 mΩ
- Generazione: 4th Gen (Trench)
- Corrente Drain (Id): 24 A
- Potenza dissipabile totale: 81 W
- Temperatura giunzione (Max.): 175 °C
- Intervallo temperatura di stoccaggio: -40 a 175 °C
- Package: TSC3PAK (SMD con superficie di dissipazione superiore)
- Dimensioni package: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625 mm)
- Tipo di imballo: Taping
- Quantità unità: 600 (quantità minima: 600)
- RoHS: Yes
- MSL: 1